半導(dǎo)體三極管屬性
發(fā)布時(shí)間:2011/8/31 10:44:44 訪問次數(shù):4347
(一)什么是半導(dǎo)體三極管?它在結(jié)構(gòu)上有何特點(diǎn)? W86C452AP
半導(dǎo)體三極管亦稱晶體三極管,通常簡(jiǎn)稱為晶體管或三極管。
晶體三極管(簡(jiǎn)稱晶體管)是放大電路的核心元件。晶體管的出現(xiàn),給電子技術(shù)的應(yīng)用開辟了更寬廣的道路。常見的幾種晶體管的外形如圖2-22所示。
部分常見晶體三極管的實(shí)物圖如圖2-23所示。
三極管的基本結(jié)構(gòu)是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的。按PN結(jié)組合方式的不同,三極管可分為NPN型和PNP型兩種,其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)如圖2-24所示。
三極管有三個(gè)導(dǎo)電區(qū),即發(fā)射區(qū)、集電區(qū)和基區(qū)。發(fā)射區(qū)摻雜濃度較高,其作用是發(fā)射載流子;集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū),其作用是收集載流子;基區(qū)摻雜濃度很低,且比發(fā)射區(qū)、集電區(qū)溥得多,起控制載流子的作用。發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),、集電區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為集電結(jié)。從相應(yīng)的三個(gè)區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極E、集電極C和基極B。
根據(jù)半導(dǎo)體材料不同,三極管有硅管和鍺管之分。目前我國(guó)生產(chǎn)的硅管大多為NPN型,鍺管大多為PNP型。由于硅三極管的溫度特性較好,應(yīng)用也較多。對(duì)于PNP型三極管,其工作原理與NPN型三極管相似,不同之處僅在于使用時(shí),工作電源的極性相反而已。
(三)三極管的電流是如何分配的? W91312
在圖2-25所示的實(shí)驗(yàn)電路中,電源UBB使發(fā)射結(jié)承受正向偏置電壓,電源UCC大于UBB,使集電結(jié)承受反向偏置電壓。當(dāng)改變基極電阻RB時(shí),不僅基極電流IB發(fā)生變化,集電極電流Ic和發(fā)射極電流IE也隨著有較大的變化。實(shí)驗(yàn)測(cè)得的數(shù)據(jù)如表2-2所示。
由表中數(shù)據(jù)可得知IB、IC、IE有如下關(guān)系:
三個(gè)極的電流始終符合基爾霍夫定律,即
IE =IC+IB
且IB與IE、IC相比小得多,因而IE≈IC。
(四)什么是三極管的電流放大系數(shù)?
三極管的主要特點(diǎn)是具有電流放大功能。
①如增大時(shí),IC按比例相應(yīng)增大。從表2-2中第三列和第四列的數(shù)據(jù)可以得到證明:
IC3/IB3=2.35/0.04=58.5
IC4/IB4=3.54/0.06=59
②基極電流較小的變化量△IB,可以引起集電極電流較大的變化量△IC,兩者變化量在一定范圍內(nèi)保持比例關(guān)系,即
β=△IC/△IB
β稱為三極管的電流放大系數(shù),它反映了IB對(duì)IC的控制能力,把這種控制能力稱做三極管的電流放大作用。
三極管各極電流的分配和它的電流放大作用,是由內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律決定的。由圖2-26可知,電源UBB使發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)內(nèi)的多數(shù)載流子不斷越過發(fā)射結(jié)注入基區(qū),從而形成電子電流,外電路就是發(fā)射極電流IE。由于基區(qū)很薄,空穴濃度又很低,注入基區(qū)的電子大部分?jǐn)U散到集電結(jié)附近,只有少數(shù)電子與基區(qū)的空穴復(fù)合。電源UBB從基區(qū)抽走電子來補(bǔ)充空穴,從而形成了基極電流IB。電源UCC使集電結(jié)反偏,保證了結(jié)電場(chǎng)對(duì)注入基區(qū)電子的加速作用,使電子越過集電結(jié),被集電極收集而形成集電極電流IC。
綜上所述,三極管起到放大作用所必須具備的外部條件是:發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。而電流的分配關(guān)系則由三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)所決定。
(五)三極管的輸入特性曲線是什么? WD1014-CL
三極管的特性曲線反映了三極管各極電壓與電流之間的關(guān)系,是分析三極管有關(guān)電路的重要依據(jù)。最常用的是共發(fā)射極接法時(shí)的輸入特性曲線和輸出特性曲線。特性曲線可用晶體管圖示儀直觀地顯示出來,也可用實(shí)驗(yàn)屯路進(jìn)行測(cè)繪。
輸入特性曲線是當(dāng)集電極與發(fā)射極之間的電壓UCE保持不變時(shí),基極電流與基、射極間電壓之間的關(guān)系,即
IB=f(UBE)
其特性曲線如圖2-27所示。
當(dāng)UCE≥1V時(shí),三極管處于放大狀態(tài),基極電流的變化主要受UBE的控制,而UCE對(duì)IB的影響則很小,所以,UCE≥1V以后的輸入特性基本上是重合的。
三極管的輸入特性和二極管的伏安特性相似,也有一段死區(qū),硅管的死區(qū)電壓約為0.5V,鍺管的死區(qū)電壓約為0.2V。當(dāng)發(fā)射結(jié)外加電壓大于死區(qū)電壓時(shí),三極管才完全進(jìn)入放大狀態(tài)。在正常工作情況下,硅管發(fā)射結(jié)的正向壓降約為0.7V,鍺管發(fā)射結(jié)的正向壓降
約為0.3V。
(六)三極管的輸出特性曲線是什么?
輸出特性是指當(dāng)基極電流IB為常數(shù)時(shí),集電極電流IC同集、射極電壓UCE的關(guān)系曲線,即
IC=f(UCE)
IB的取值不同,可得出不同的特性曲線,所以,三極管的輸出特性是一簇曲線,如圖2-28所示。對(duì)應(yīng)于三極管的三種工作狀態(tài),可將輸出特性分為三個(gè)區(qū),即截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
(1)截止區(qū)
IB=0的曲線下面的區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū)。在此區(qū)域內(nèi),IC=ICEO≈0,集電極與發(fā)射極間截止區(qū)呈現(xiàn)高阻狀態(tài),相當(dāng)于一個(gè)斷開的開關(guān)。為了使三極管可靠截止,通常給發(fā)射結(jié)加上反向偏置電壓,所以,三極管處于截止?fàn)顟B(tài)的工作條件是發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均處于反向偏置。
(2)放大區(qū)
輸出特性曲線近于水平且間距較均勻的部分稱為放大區(qū).在放大區(qū),IC的變化僅取決于IB的變化,而與UCE的變化幾乎無關(guān),呈現(xiàn)恒流特性,即βIB。三極管處于放大狀態(tài)時(shí),發(fā)射結(jié)處于正向偏置,集電結(jié)處于反向偏置。
(3)飽和區(qū)
特性曲線上升段拐點(diǎn)連接線左側(cè)區(qū)域稱為飽和區(qū)。這一區(qū)域包括了所有各個(gè)IB值下的輸出特性曲線的起始部分。由圖2-25所示的實(shí)驗(yàn)電路可知,三極管集、射極電壓UCE=UCC-ICRC,或IC=UCC-UCE/RC。當(dāng)UCE很小時(shí),Ic≈UCC/RC,此后即使IB再增大,IC也不再增大,即IC不再受IB的控制,三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)。
三極管處于飽和時(shí)的集電極電流稱為飽和電流,用ICS表示;飽和時(shí)集射極電壓稱為飽和壓降,用UCES表示。UCES很小,硅管約為0.3V,鍺管約為0.1V,一般認(rèn)為UCES≈0,集、射極間相當(dāng)于一個(gè)接通的開關(guān)。
三極管飽和的條件是發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正向偏置。
放大區(qū)、截止區(qū)和飽和區(qū)都是三極管的正常工作區(qū)。三極管作放大使用時(shí),工作在放大區(qū)。三極管作開關(guān)使用時(shí),工作在飽和區(qū)和截止區(qū)。
(七)三極管的主要參數(shù)有哪些?
(1)電流放大系數(shù)β
三極管的電流放大系數(shù)有靜態(tài)電流放大系數(shù)和動(dòng)態(tài)電流放大系數(shù)。
三極管接成共發(fā)射極電路,當(dāng)輸入信號(hào)為零時(shí),集電極電流Ic與基極電流IB的比值,稱為靜態(tài)(直流)電流放大系數(shù),即
β=IC/IB
當(dāng)輸入信號(hào)不為零時(shí),在保持UCE不變的情況下,集電極電流的變化量△IC與基極電流的變化量△IB的比值,稱為動(dòng)態(tài)(交流)電流放大系數(shù),即
β=△IC/△IB
β與β具有不同的含義,但在輸出特性的線性區(qū),兩者數(shù)值較為接近,一般不作嚴(yán)格區(qū)分。常用的小功率三極管,β值約在30~200之間,大功率管的β值較小。β值太小時(shí),三極管的放大能力差,β值太大時(shí),三極管的熱穩(wěn)定性能差。通常以100左右為宜。
(2)穿透電流ICEO
當(dāng)基極開路,集電結(jié)處于反向偏置,發(fā)射結(jié)處于正向偏置的條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向漏電流稱為穿透電流,用ICEO表示。ICEO受溫度影響很大,當(dāng)溫度上升時(shí),ICEO增加得很快。選用三極管時(shí),ICEO應(yīng)盡可能小些。
(3)集電極最大允許電流ICM
集電極電流IC超過一定值時(shí),三極管的盧值下降。對(duì)應(yīng)的集電極電流,稱為集電極最大允許電流ICM。
(4)集電極最大允許耗散功率PCM
集電極電流通過集電結(jié)時(shí),產(chǎn)生的功率損耗使集電結(jié)溫度升高,當(dāng)結(jié)溫超過一定數(shù)值后,將導(dǎo)致三極管性能變壞,甚至燒毀。為使三極管的結(jié)溫不超過允許值,規(guī)定了集電極最大允許耗散功率PCM。PCM與IC和UCE的關(guān)系為
PCM=ICUCE
根據(jù)上式,可在輸出特性曲線上做出一條PCM曲線,如圖2-29所示。曲線右側(cè)區(qū)域?yàn)檫^損耗區(qū),曲線左側(cè)的區(qū)域?yàn)榘踩ぷ鲄^(qū)。
(5)反向擊穿電壓U(BR)CEO
基極開路時(shí),集電極與發(fā)射極之間的最大允許電壓稱為反向擊穿電壓U(BR)CEO實(shí)際值超過此值將會(huì)導(dǎo)致三極管的擊穿而損壞。
三極管還有其他參數(shù),使用時(shí),可根據(jù)需要查閱器件手冊(cè)。
(一)什么是半導(dǎo)體三極管?它在結(jié)構(gòu)上有何特點(diǎn)? W86C452AP
半導(dǎo)體三極管亦稱晶體三極管,通常簡(jiǎn)稱為晶體管或三極管。
晶體三極管(簡(jiǎn)稱晶體管)是放大電路的核心元件。晶體管的出現(xiàn),給電子技術(shù)的應(yīng)用開辟了更寬廣的道路。常見的幾種晶體管的外形如圖2-22所示。
部分常見晶體三極管的實(shí)物圖如圖2-23所示。
三極管的基本結(jié)構(gòu)是由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的。按PN結(jié)組合方式的不同,三極管可分為NPN型和PNP型兩種,其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)如圖2-24所示。
三極管有三個(gè)導(dǎo)電區(qū),即發(fā)射區(qū)、集電區(qū)和基區(qū)。發(fā)射區(qū)摻雜濃度較高,其作用是發(fā)射載流子;集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū),其作用是收集載流子;基區(qū)摻雜濃度很低,且比發(fā)射區(qū)、集電區(qū)溥得多,起控制載流子的作用。發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),、集電區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為集電結(jié)。從相應(yīng)的三個(gè)區(qū)引出的電極分別稱為發(fā)射極E、集電極C和基極B。
根據(jù)半導(dǎo)體材料不同,三極管有硅管和鍺管之分。目前我國(guó)生產(chǎn)的硅管大多為NPN型,鍺管大多為PNP型。由于硅三極管的溫度特性較好,應(yīng)用也較多。對(duì)于PNP型三極管,其工作原理與NPN型三極管相似,不同之處僅在于使用時(shí),工作電源的極性相反而已。
(三)三極管的電流是如何分配的? W91312
在圖2-25所示的實(shí)驗(yàn)電路中,電源UBB使發(fā)射結(jié)承受正向偏置電壓,電源UCC大于UBB,使集電結(jié)承受反向偏置電壓。當(dāng)改變基極電阻RB時(shí),不僅基極電流IB發(fā)生變化,集電極電流Ic和發(fā)射極電流IE也隨著有較大的變化。實(shí)驗(yàn)測(cè)得的數(shù)據(jù)如表2-2所示。
由表中數(shù)據(jù)可得知IB、IC、IE有如下關(guān)系:
三個(gè)極的電流始終符合基爾霍夫定律,即
IE =IC+IB
且IB與IE、IC相比小得多,因而IE≈IC。
(四)什么是三極管的電流放大系數(shù)?
三極管的主要特點(diǎn)是具有電流放大功能。
①如增大時(shí),IC按比例相應(yīng)增大。從表2-2中第三列和第四列的數(shù)據(jù)可以得到證明:
IC3/IB3=2.35/0.04=58.5
IC4/IB4=3.54/0.06=59
②基極電流較小的變化量△IB,可以引起集電極電流較大的變化量△IC,兩者變化量在一定范圍內(nèi)保持比例關(guān)系,即
β=△IC/△IB
β稱為三極管的電流放大系數(shù),它反映了IB對(duì)IC的控制能力,把這種控制能力稱做三極管的電流放大作用。
三極管各極電流的分配和它的電流放大作用,是由內(nèi)部載流子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律決定的。由圖2-26可知,電源UBB使發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)內(nèi)的多數(shù)載流子不斷越過發(fā)射結(jié)注入基區(qū),從而形成電子電流,外電路就是發(fā)射極電流IE。由于基區(qū)很薄,空穴濃度又很低,注入基區(qū)的電子大部分?jǐn)U散到集電結(jié)附近,只有少數(shù)電子與基區(qū)的空穴復(fù)合。電源UBB從基區(qū)抽走電子來補(bǔ)充空穴,從而形成了基極電流IB。電源UCC使集電結(jié)反偏,保證了結(jié)電場(chǎng)對(duì)注入基區(qū)電子的加速作用,使電子越過集電結(jié),被集電極收集而形成集電極電流IC。
綜上所述,三極管起到放大作用所必須具備的外部條件是:發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。而電流的分配關(guān)系則由三極管內(nèi)部結(jié)構(gòu)所決定。
(五)三極管的輸入特性曲線是什么? WD1014-CL
三極管的特性曲線反映了三極管各極電壓與電流之間的關(guān)系,是分析三極管有關(guān)電路的重要依據(jù)。最常用的是共發(fā)射極接法時(shí)的輸入特性曲線和輸出特性曲線。特性曲線可用晶體管圖示儀直觀地顯示出來,也可用實(shí)驗(yàn)屯路進(jìn)行測(cè)繪。
輸入特性曲線是當(dāng)集電極與發(fā)射極之間的電壓UCE保持不變時(shí),基極電流與基、射極間電壓之間的關(guān)系,即
IB=f(UBE)
其特性曲線如圖2-27所示。
當(dāng)UCE≥1V時(shí),三極管處于放大狀態(tài),基極電流的變化主要受UBE的控制,而UCE對(duì)IB的影響則很小,所以,UCE≥1V以后的輸入特性基本上是重合的。
三極管的輸入特性和二極管的伏安特性相似,也有一段死區(qū),硅管的死區(qū)電壓約為0.5V,鍺管的死區(qū)電壓約為0.2V。當(dāng)發(fā)射結(jié)外加電壓大于死區(qū)電壓時(shí),三極管才完全進(jìn)入放大狀態(tài)。在正常工作情況下,硅管發(fā)射結(jié)的正向壓降約為0.7V,鍺管發(fā)射結(jié)的正向壓降
約為0.3V。
(六)三極管的輸出特性曲線是什么?
輸出特性是指當(dāng)基極電流IB為常數(shù)時(shí),集電極電流IC同集、射極電壓UCE的關(guān)系曲線,即
IC=f(UCE)
IB的取值不同,可得出不同的特性曲線,所以,三極管的輸出特性是一簇曲線,如圖2-28所示。對(duì)應(yīng)于三極管的三種工作狀態(tài),可將輸出特性分為三個(gè)區(qū),即截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。
(1)截止區(qū)
IB=0的曲線下面的區(qū)域?yàn)榻刂箙^(qū)。在此區(qū)域內(nèi),IC=ICEO≈0,集電極與發(fā)射極間截止區(qū)呈現(xiàn)高阻狀態(tài),相當(dāng)于一個(gè)斷開的開關(guān)。為了使三極管可靠截止,通常給發(fā)射結(jié)加上反向偏置電壓,所以,三極管處于截止?fàn)顟B(tài)的工作條件是發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均處于反向偏置。
(2)放大區(qū)
輸出特性曲線近于水平且間距較均勻的部分稱為放大區(qū).在放大區(qū),IC的變化僅取決于IB的變化,而與UCE的變化幾乎無關(guān),呈現(xiàn)恒流特性,即βIB。三極管處于放大狀態(tài)時(shí),發(fā)射結(jié)處于正向偏置,集電結(jié)處于反向偏置。
(3)飽和區(qū)
特性曲線上升段拐點(diǎn)連接線左側(cè)區(qū)域稱為飽和區(qū)。這一區(qū)域包括了所有各個(gè)IB值下的輸出特性曲線的起始部分。由圖2-25所示的實(shí)驗(yàn)電路可知,三極管集、射極電壓UCE=UCC-ICRC,或IC=UCC-UCE/RC。當(dāng)UCE很小時(shí),Ic≈UCC/RC,此后即使IB再增大,IC也不再增大,即IC不再受IB的控制,三極管進(jìn)入飽和狀態(tài)。
三極管處于飽和時(shí)的集電極電流稱為飽和電流,用ICS表示;飽和時(shí)集射極電壓稱為飽和壓降,用UCES表示。UCES很小,硅管約為0.3V,鍺管約為0.1V,一般認(rèn)為UCES≈0,集、射極間相當(dāng)于一個(gè)接通的開關(guān)。
三極管飽和的條件是發(fā)射結(jié)、集電結(jié)均正向偏置。
放大區(qū)、截止區(qū)和飽和區(qū)都是三極管的正常工作區(qū)。三極管作放大使用時(shí),工作在放大區(qū)。三極管作開關(guān)使用時(shí),工作在飽和區(qū)和截止區(qū)。
(七)三極管的主要參數(shù)有哪些?
(1)電流放大系數(shù)β
三極管的電流放大系數(shù)有靜態(tài)電流放大系數(shù)和動(dòng)態(tài)電流放大系數(shù)。
三極管接成共發(fā)射極電路,當(dāng)輸入信號(hào)為零時(shí),集電極電流Ic與基極電流IB的比值,稱為靜態(tài)(直流)電流放大系數(shù),即
β=IC/IB
當(dāng)輸入信號(hào)不為零時(shí),在保持UCE不變的情況下,集電極電流的變化量△IC與基極電流的變化量△IB的比值,稱為動(dòng)態(tài)(交流)電流放大系數(shù),即
β=△IC/△IB
β與β具有不同的含義,但在輸出特性的線性區(qū),兩者數(shù)值較為接近,一般不作嚴(yán)格區(qū)分。常用的小功率三極管,β值約在30~200之間,大功率管的β值較小。β值太小時(shí),三極管的放大能力差,β值太大時(shí),三極管的熱穩(wěn)定性能差。通常以100左右為宜。
(2)穿透電流ICEO
當(dāng)基極開路,集電結(jié)處于反向偏置,發(fā)射結(jié)處于正向偏置的條件下,集電極與發(fā)射極之間的反向漏電流稱為穿透電流,用ICEO表示。ICEO受溫度影響很大,當(dāng)溫度上升時(shí),ICEO增加得很快。選用三極管時(shí),ICEO應(yīng)盡可能小些。
(3)集電極最大允許電流ICM
集電極電流IC超過一定值時(shí),三極管的盧值下降。對(duì)應(yīng)的集電極電流,稱為集電極最大允許電流ICM。
(4)集電極最大允許耗散功率PCM
集電極電流通過集電結(jié)時(shí),產(chǎn)生的功率損耗使集電結(jié)溫度升高,當(dāng)結(jié)溫超過一定數(shù)值后,將導(dǎo)致三極管性能變壞,甚至燒毀。為使三極管的結(jié)溫不超過允許值,規(guī)定了集電極最大允許耗散功率PCM。PCM與IC和UCE的關(guān)系為
PCM=ICUCE
根據(jù)上式,可在輸出特性曲線上做出一條PCM曲線,如圖2-29所示。曲線右側(cè)區(qū)域?yàn)檫^損耗區(qū),曲線左側(cè)的區(qū)域?yàn)榘踩ぷ鲄^(qū)。
(5)反向擊穿電壓U(BR)CEO
基極開路時(shí),集電極與發(fā)射極之間的最大允許電壓稱為反向擊穿電壓U(BR)CEO實(shí)際值超過此值將會(huì)導(dǎo)致三極管的擊穿而損壞。
三極管還有其他參數(shù),使用時(shí),可根據(jù)需要查閱器件手冊(cè)。
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