(一)單結(jié)晶體管觸發(fā)電路有何要求？         PCA9552BS  
    觸發(fā)電路是可控整流電路的主要組成部分，其作用是適時(shí)地向晶閘管的控制極輸入觸發(fā)信號(hào)，保證晶閘管可靠工作。觸發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠的電壓幅度(4～10V)和功率(0.5～2w)值；觸發(fā)信號(hào)的脈沖寬度不小于20μs，前沿陡度不大于10μs。從控制角度講，觸發(fā)信號(hào)應(yīng)與主電路同步，并且有足夠?qū)挼囊葡喾秶�。觸發(fā)電路的種類很多，最簡(jiǎn)單的是單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。

 (二)單結(jié)晶體管的結(jié)構(gòu)是怎樣的？
    單結(jié)晶體管又稱為雙基極二極管，其外部有三個(gè)電極，內(nèi)部結(jié)構(gòu)是一個(gè)PN結(jié)，如圖7—18 (a)所示。它是在N型硅片一側(cè)的兩端各引出一個(gè)電極，稱為第一基極B₁和第二基極B₂。在硅片的另一側(cè)靠近B₂處形成一個(gè)PN結(jié)，引出發(fā)射極E。單結(jié)晶體管的發(fā)射極與任一基極間都存在著單向?qū)щ娦浴苫鶚O間有一定的電阻R_BB，一般為2～15kΩ。
    單結(jié)晶體管可用圖7-18(b)所示等效電路來(lái)表示。RB1為第一基極與發(fā)射極間的電阻，其值隨發(fā)射極電流I_E的大小而改變，R_B2為第二基極與發(fā)射極間的電阻。R_Bl+R_B2=R_BB。PN結(jié)被看作是二極管VD。

                
    
 (三)單結(jié)晶體管的伏安特性是怎樣的？    FAN5646S700X
    單結(jié)晶體管的伏安特性是指在基極B₁、B₂間加一恒定電壓U_BB時(shí)，發(fā)射極電流IE與電壓UE間的關(guān)系曲線。
    圖7-19是測(cè)試單結(jié)晶體管特性的實(shí)驗(yàn)電路。當(dāng)發(fā)射極開路時(shí)，A點(diǎn)與B1間的電壓為
                            U_A=R_B1/R_B1+R_B2×U_BB=ηU_BB

式中η=R_B1/R_B1+R_B2稱為分壓比，其值與管子結(jié)構(gòu)有關(guān)，一般在0.5～0.9之間。分壓比是單結(jié)晶體管的一個(gè)重要參數(shù)。

              
    調(diào)節(jié)RP，使U_E從零值開始逐漸增大。當(dāng)U_E<U_A時(shí)，PN結(jié)因反向偏置而截止，E與B1間呈現(xiàn)很大的電阻，故只有很小的反向漏電流。對(duì)應(yīng)這一段特性稱為截止區(qū)，如圖7-20中的AP段所示。當(dāng)U_E增加到U_E=U_A+U_D(U_D為PN結(jié)的正向壓降，約0.7V)時(shí)，PN結(jié)導(dǎo)通，發(fā)射極電流突然增大。把這個(gè)突變點(diǎn)稱為峰點(diǎn)P，與P點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓和電流分別稱為峰點(diǎn)電壓UP和峰點(diǎn)電流IP，顯然
                                   U_P=ηU_BB+U_D
    PN結(jié)導(dǎo)通后，有大量空穴從P區(qū)進(jìn)入N型硅片，I_E增長(zhǎng)很快，R_B1急劇減小，E和B₁間變成低電阻導(dǎo)通狀態(tài)，U_E也隨之下降，一直到達(dá)圖7-20中電壓的最低點(diǎn)V. PV段的特性與一般情況不同，電流增加，電壓反而下降，單結(jié)晶體管呈負(fù)阻特性，對(duì)應(yīng)該段特性的區(qū)
域稱為負(fù)阻區(qū)。圖7-20中的V點(diǎn)稱為谷點(diǎn)，與V點(diǎn)對(duì)應(yīng)的電壓和電流，分別稱為谷點(diǎn)電壓UV，和谷點(diǎn)電流I_V。此后，發(fā)射極電流I_E繼續(xù)增大時(shí)，電壓U_E變化不明顯，這個(gè)區(qū)域稱為飽和區(qū)，如圖7-20中的VB段。

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