半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的種類很多，按采用元件來(lái)分，有雙極型和MOS型兩大類。
    雙極型存儲(chǔ)器以雙極型觸發(fā)器為基本存儲(chǔ)單元，其工作速度快，但功耗大，主要用于對(duì)速度要求高的場(chǎng)合；MOS型存儲(chǔ)器以MOS觸發(fā)器或電荷存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)為存儲(chǔ)單元，它具有集成度高、功耗小、工藝簡(jiǎn)單等特點(diǎn)，主要用于大容暈存儲(chǔ)系統(tǒng)中。目前數(shù)字系統(tǒng)中主要選用MOS型存儲(chǔ)器。按存取信息方式分，有只讀存儲(chǔ)器ROM (Read-Only Memory)和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM (Random Access Memory)兩大類。     DFB2040 
    只讀存儲(chǔ)器ROM在正常工作時(shí)只能讀出信息，而不能寫入信息。ROM的信息是在制造時(shí)用專門的寫入裝置寫入的并可長(zhǎng)期保留，即斷電后器件中的信息不會(huì)消失，因此也稱為非易失性存儲(chǔ)器。ROM又可分為掩膜ROM、可編程ROM(Programmable Read-OnlyMemory，簡(jiǎn)稱PROM)和可擦除的可編程ROM(Erasable Programmable Read-Only Memory，簡(jiǎn)稱EPROM)。
    隨機(jī)存取存儲(chǔ)器RAM正常工作時(shí)可以隨時(shí)寫入或讀出信息，但斷電后器件中的信息也隨之消失，因此也禰為易失性存儲(chǔ)器。RAM又可分為靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM (Static Random Access Memory)和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM (Dynamic Random Access Memory)兩類。DRAM的存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，其集成度遠(yuǎn)高于SRAM，但它的存取速度不如SRAM快。
    存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量和存取時(shí)間是反映系統(tǒng)性能的兩個(gè)重要指標(biāo)。存儲(chǔ)容量指存儲(chǔ)器所能存放的信息的多少，存儲(chǔ)容量越大，說(shuō)明存儲(chǔ)的信息越多，系統(tǒng)的功能越強(qiáng)。存儲(chǔ)器的容量一般用字?jǐn)?shù)N同字長(zhǎng)M的乘積即N×M來(lái)表示，如1K×8表明該存儲(chǔ)器有1024個(gè)存儲(chǔ)單元，每一單元存放八位二進(jìn)制信息。存取時(shí)間一般用讀/寫周期來(lái)描述。讀/寫周期越短，即存取時(shí)間越短，存儲(chǔ)器的工作速度就越高。    DM3730CBP

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