反相器是指輸出信號(hào)的相位與輸入信號(hào)相反嗎?
發(fā)布時(shí)間:2011/10/21 10:32:07 訪問次數(shù):9952
(1)反相器（非門）基本電路
一個(gè)共射極晶體管放大器，HCPL2631 其輸出信號(hào)的相位與輸入信號(hào)相反，因此又稱反相放大器。如這種電路用于放大脈沖信號(hào)，也是起反相放大的功能，這個(gè)電路從邏輯上來說是一個(gè)“非”電路，即“非門”。圖7-30所示是一個(gè)由集成電路制成的非門電路，即反相器，輸出信號(hào)的相位與輸入相反，輸入正極性脈沖，輸出則為反極性脈沖。
門電路是邏輯信號(hào)處理系統(tǒng)中的基本單元電路，它有DTL型、TTL型和C-MOS型三種。DTL是Diode Transistor Logic（二極管晶體管邏輯）的簡(jiǎn)稱。TTL是Transistor TransistorLogic（晶體管晶體管邏輯）的簡(jiǎn)稱。這兩種邏輯電路的區(qū)別是DTL電路采用二極管作輸入電路，TTL采用晶體管作輸入電路。C-MOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor的縮寫，這種電路主要是采用C-MOS煬效應(yīng)晶體管組成的邏輯電路。
(2) DTL反相器
圖7-31所示為DTL反相器電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，輸入端采用二極管，信號(hào)處理為晶體管，電源為+5V。當(dāng)輸入端A為高電平（數(shù)字“1”）時(shí)，二極管VD1截止，晶體管VT1導(dǎo)通，晶體管VT2導(dǎo)通輸出為低電平（數(shù)字“0”）。當(dāng)輸入為低電平（數(shù)字“0”）時(shí)，二極管VD1導(dǎo)通，晶體管VT1截止，晶體管VT2截止，輸出高電平（數(shù)字“l(fā)”）。
(3) TTL反相器
圖7-32所示為一個(gè)具有6個(gè)反相器的TTL集成電路，每一個(gè)反相器的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)也示于圖中。
直流電壓+5V為每一個(gè)反相器提供電源，當(dāng)輸入端A為高電平（數(shù)字“1”）時(shí)，晶體管VT1截止，晶體管VT2導(dǎo)通，二極管VD2截止，晶體管VT3導(dǎo)通，輸出端A為低電平（數(shù)字“0”）。如果輸入端A為低電平（數(shù)字“0”）時(shí)，電路發(fā)生反相的變化，則輸出端A為高電平。
(4) MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)反相器
場(chǎng)效應(yīng)晶體管既可以作為線性放大器，也可以制成邏輯門電路，圖7-33所示為MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管制作的反相器。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管有N溝道和P溝道之分，用兩者組成互補(bǔ)對(duì)稱的電路簡(jiǎn)稱CMOS互補(bǔ)輸出電路，圖7-34所示為它的工作原理圖。當(dāng)輸入端②為高電平（數(shù)字“1”）輸入時(shí)，N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通，③腳輸出低電平（數(shù)字“0”）；當(dāng)②腳輸入低電平（數(shù)字“0”）時(shí)，P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通輸出高電平（數(shù)字“1”）。
圖7-35為C-MOS反相器的實(shí)用電路（CD4069或TC74049）及每個(gè)反相器的電路結(jié)構(gòu)，其工作原理與TTL電路相同。當(dāng)A端輸入高電平時(shí)，N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管VT1導(dǎo)通，P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管VT2截止，輸出端彳為低電平。當(dāng)A端輸入低電平時(shí)，則電路工作態(tài)發(fā)生變化，VT2導(dǎo)通，VT1截止，輸出端彳變?yōu)楦唠娖健?/P>
(1)反相器（非門）基本電路
一個(gè)共射極晶體管放大器，HCPL2631 其輸出信號(hào)的相位與輸入信號(hào)相反，因此又稱反相放大器。如這種電路用于放大脈沖信號(hào)，也是起反相放大的功能，這個(gè)電路從邏輯上來說是一個(gè)“非”電路，即“非門”。圖7-30所示是一個(gè)由集成電路制成的非門電路，即反相器，輸出信號(hào)的相位與輸入相反，輸入正極性脈沖，輸出則為反極性脈沖。
門電路是邏輯信號(hào)處理系統(tǒng)中的基本單元電路，它有DTL型、TTL型和C-MOS型三種。DTL是Diode Transistor Logic（二極管晶體管邏輯）的簡(jiǎn)稱。TTL是Transistor TransistorLogic（晶體管晶體管邏輯）的簡(jiǎn)稱。這兩種邏輯電路的區(qū)別是DTL電路采用二極管作輸入電路，TTL采用晶體管作輸入電路。C-MOS是Complementary Metal Oxide Semiconductor的縮寫，這種電路主要是采用C-MOS煬效應(yīng)晶體管組成的邏輯電路。
(2) DTL反相器
圖7-31所示為DTL反相器電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，輸入端采用二極管，信號(hào)處理為晶體管，電源為+5V。當(dāng)輸入端A為高電平（數(shù)字“1”）時(shí)，二極管VD1截止，晶體管VT1導(dǎo)通，晶體管VT2導(dǎo)通輸出為低電平（數(shù)字“0”）。當(dāng)輸入為低電平（數(shù)字“0”）時(shí)，二極管VD1導(dǎo)通，晶體管VT1截止，晶體管VT2截止，輸出高電平（數(shù)字“l(fā)”）。
(3) TTL反相器
圖7-32所示為一個(gè)具有6個(gè)反相器的TTL集成電路，每一個(gè)反相器的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)也示于圖中。
直流電壓+5V為每一個(gè)反相器提供電源，當(dāng)輸入端A為高電平（數(shù)字“1”）時(shí)，晶體管VT1截止，晶體管VT2導(dǎo)通，二極管VD2截止，晶體管VT3導(dǎo)通，輸出端A為低電平（數(shù)字“0”）。如果輸入端A為低電平（數(shù)字“0”）時(shí)，電路發(fā)生反相的變化，則輸出端A為高電平。
(4) MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)反相器
場(chǎng)效應(yīng)晶體管既可以作為線性放大器，也可以制成邏輯門電路，圖7-33所示為MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管制作的反相器。
場(chǎng)效應(yīng)晶體管有N溝道和P溝道之分，用兩者組成互補(bǔ)對(duì)稱的電路簡(jiǎn)稱CMOS互補(bǔ)輸出電路，圖7-34所示為它的工作原理圖。當(dāng)輸入端②為高電平（數(shù)字“1”）輸入時(shí)，N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通，③腳輸出低電平（數(shù)字“0”）；當(dāng)②腳輸入低電平（數(shù)字“0”）時(shí)，P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通輸出高電平（數(shù)字“1”）。
圖7-35為C-MOS反相器的實(shí)用電路（CD4069或TC74049）及每個(gè)反相器的電路結(jié)構(gòu)，其工作原理與TTL電路相同。當(dāng)A端輸入高電平時(shí)，N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管VT1導(dǎo)通，P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管VT2截止，輸出端彳為低電平。當(dāng)A端輸入低電平時(shí)，則電路工作態(tài)發(fā)生變化，VT2導(dǎo)通，VT1截止，輸出端彳變?yōu)楦唠娖健?/P>
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