單純的P型半導(dǎo)體或N型半導(dǎo)體內(nèi)部雖然有空穴或自由電子，但整體是電中性的，不帶電�，F(xiàn)利用特殊的摻雜工藝，在一塊晶片的兩邊分別生成N型和P型半導(dǎo)體。因?yàn)镻區(qū)的多子是空穴，N區(qū)的多子是電子，在兩塊半導(dǎo)體交界處同類載流子的濃度差別極大，這種差別將產(chǎn)生P區(qū)濃度高的空穴向N區(qū)擴(kuò)散， G081與此同時(shí)，N區(qū)濃度高的電子也會(huì)向P區(qū)擴(kuò)散。擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的結(jié)果使P型半導(dǎo)體的原子在交界處得到電子，成為帶負(fù)電的離子；N型半導(dǎo)體的原子在交界處失去電子，成為帶正電的離子，形成空間電荷區(qū)�？臻g電荷區(qū)隨著電荷的積累將建立起一個(gè)內(nèi)電場(chǎng)E，該電場(chǎng)對(duì)半導(dǎo)體內(nèi)多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)起阻礙的作用，但對(duì)少數(shù)載流子的運(yùn)動(dòng)卻起到促進(jìn)的作用。少數(shù)載流子在內(nèi)電場(chǎng)作周下的運(yùn)動(dòng)稱為漂移運(yùn)動(dòng)。在無(wú)外電場(chǎng)和其他因素的激勵(lì)下，當(dāng)參與擴(kuò)散的多數(shù)載流子和參與漂移的少數(shù)載流子在數(shù)目上相等時(shí)，空間電荷區(qū)電荷的積累效應(yīng)將停止，空間電荷區(qū)內(nèi)電荷的數(shù)目將達(dá)到一個(gè)動(dòng)態(tài)的平衡，并形成PN結(jié)。如圖1-7所示，此時(shí)，空間電荷區(qū)具有一定的寬度，內(nèi)電場(chǎng)也具有一定的強(qiáng)度，PN結(jié)內(nèi)部的電流為零。

                       
    由于空間電荷區(qū)在形成的過(guò)程中，移走的是載流子，留下的是不能移動(dòng)的正、負(fù)離子，這種作用與電容器存儲(chǔ)電荷的作用等效，因此，PN結(jié)也具有電容的效應(yīng)，該電容稱為PN結(jié)的結(jié)電容。PN結(jié)的結(jié)電容有勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容兩種。