一、簡(jiǎn)單的阻容移相觸發(fā)電路及參數(shù)選擇
1．單向晶閘管阻容移相觸發(fā)電路
    單向晶閘管阻容加二極管式移相觸發(fā)電路如圖12-15 (a)所示，
其波形如圖12-15 (b)所示。

(b)波形圖
    圖12 -15阻容加二極管式移相電路
    電路特點(diǎn)：簡(jiǎn)單，移相范圍<180℃，實(shí)際范圍級(jí)為170。；受
溫度影響較大，適用于小功率、要求不高的場(chǎng)合。
    單向晶閘管阻容加穩(wěn)壓管式移相觸發(fā)電路如圖12-16 (a)所示，
其波形如圖12-16 (b)所示。

               (a)電路圖          (b)波形圖
    圖12 -16  阻容加穩(wěn)壓管式移相電路
    電路特點(diǎn)：簡(jiǎn)單，移相范圍<180。；線性度較好，控制準(zhǔn)確度
較好，適用于低電壓，而又要求不高的電鍍、電解電源等。
圖中，電位器RP選用十幾至幾十千歐，o．5～1W;二極管選
用2CP12或1N4001等；穩(wěn)壓管VS選用穩(wěn)壓值Uz為十幾伏至數(shù)
十伏、最大穩(wěn)定電流J。。為數(shù)十毫安的管子；電容C選用0. 033～
o．ltu,F，漏電流小的電容，如CBB22型等；電解電容C選用10～
lOOp,F，也要求漏電流小。
2．雙向晶閘管阻容移相觸發(fā)電路
    雙向晶閘管阻容加雙向觸發(fā)二極管式移相觸發(fā)電路如圖12-17
(a)所示，其波形如圖12-17 (b)所示。圖中，UB0為雙向觸發(fā)二極
管的轉(zhuǎn)折電壓（擊穿電壓），一般為20～70V，擊穿電流為
100～2001u,A。
(a)電路圖
0
(b)波形圖
    圖12 -17雙向晶閘管阻容移相電路
    RP、R2和C的選擇與所需的最大、最小移相角有關(guān)。對(duì)于如
圖12-17 (a)參數(shù)，當(dāng)RP的阻值為o時(shí)，C的充電時(shí)間常數(shù)r1 -
R2C=l.8×103×0.1×10-6一0.18ms;當(dāng)RP的電阻值為98kQ
時(shí)，C的充電時(shí)間常數(shù)r2一(RP+R2)C= (98+1.8)×103×0.1×
10-6 =lOms;r1一o．18ms時(shí)，對(duì)應(yīng)的控制角ai=3。（接近于雙向
晶閘管全導(dǎo)通）；r2—lOnis時(shí)，對(duì)應(yīng)的控制角a2 =1809（雙向晶閘
管關(guān)閉）。可見(jiàn)，RP、R2、C的選擇由調(diào)壓范圍而定。

    圖12-17中Ri為限流電阻，也可不用。
    電阻、電位器的功率一般取0. 5～1W。
二、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路及參數(shù)選擇
    由單結(jié)晶體管及阻容元件等組成的觸發(fā)電路，又稱單結(jié)晶體管

弛張振蕩器。單結(jié)晶體管觸發(fā)電路簡(jiǎn)單易調(diào)，脈沖前沿陡，抗干擾
能力強(qiáng)。但由于脈沖較窄，觸發(fā)功率小，移相范圍也較小，所以多
用于50A及以下晶閘管的中、小功率系統(tǒng)中。
    電路如圖12-18(a)所示，波形如圖12-18(b)所示。

1．工作原理
    接通同步電源，經(jīng)穩(wěn)壓管VS削波，電壓E經(jīng)電阻R向電容C
充電，電容C兩端電壓Uc逐漸上升，當(dāng)Uc上升至單結(jié)晶體管
VT的峰點(diǎn)電壓Up時(shí)，管子e-bi導(dǎo)通，電容C通過(guò)e-bi和電阻
Ri迅速放電，在Ri上產(chǎn)生一脈沖輸出電壓。隨著C的放電，Uc
迅速下降至管子谷點(diǎn)電壓U，時(shí)，e．bi重新截止，電容C重新充
電，并重復(fù)上述過(guò)程。于是在電阻R2上產(chǎn)生如圖12-18 (b)所示
的一串周期性的脈沖。
2．元件選擇
    (1)電容C的選擇  電容C的容量大小，儲(chǔ)存的電能不足，
放電脈沖就窄，不易觸開(kāi)晶閘管；C的容量太大，這將與R的選
擇產(chǎn)生矛盾。一般C的選擇范圍為0.1～ltLF，觸發(fā)大容量的晶閘
管時(shí)可選大些。
    (2)放電電阻Ri的選擇Ri的阻值太小，會(huì)使放電太快，尖
頂脈沖過(guò)窄，不易觸發(fā)導(dǎo)通晶閘管；Ri的阻值太大，則漏屯流
（約幾毫安）在風(fēng)上的電壓降就大，致使晶閘管誤觸發(fā)（晶閘管

的不觸發(fā)電壓約為0.15～0.25V）。一般R₁的選用范圍為
50～100Ω。
    (3)溫度補(bǔ)償電阻R₂的選擇  因?yàn)閱谓Y(jié)晶體管的峰值電壓為
Up一ηU_bb +U_D，其中，分壓比η幾乎與溫度無(wú)關(guān)，Up的變化是由
等效二極管的正向壓降U_D引起，U_D具有- 2mV/℃的溫度系數(shù)。
Up變化會(huì)引起晶閘管的導(dǎo)通角改變，這是不允許的。為了穩(wěn)定
Up，接入電阻R2，此時(shí)基極間的電壓將為

                              
    式中R_bb---基極間電阻，Ω。
    R_bb具有正的溫度系數(shù)，只要適當(dāng)選擇R₂的數(shù)值，便可使
T)U_bb隨溫度的變化恰好補(bǔ)償U(kuò)_D的變化量。
    R2一般選用300～400Ω。
    (4)充電電阻R的選擇  為了獲得穩(wěn)定的振蕩，R的阻值應(yīng)
滿足
                    

式中  U_v，U_p-谷點(diǎn)和峰點(diǎn)電壓，V;
    I_v，I_p一一谷點(diǎn)和峰點(diǎn)電流，A。
    為了便于調(diào)整，R-般由一只固定電阻和一只電位器串聯(lián)
而成。
    振蕩器的振蕩頻率按下式計(jì)算：
                

式中   f——振蕩頻率，Hz;
       R-電阻，Ω；
       C一一電容，F(xiàn)。
    (5)分壓比η的選擇  一般選用η為0.5～0.85的管子。η太
大，觸發(fā)時(shí)間容易不穩(wěn)定；η太小，脈沖幅值又不夠高。

(6)穩(wěn)壓管VS的選擇穩(wěn)壓管起同步作用，并能消除電源電
壓波動(dòng)的影響。穩(wěn)壓管的工作電壓U。若選得太低，會(huì)使輸出脈沖
幅度減小造成不觸發(fā)；選得太高（超過(guò)單結(jié)晶體管的耐壓，即30～
60V，或使觸發(fā)脈沖幅值超過(guò)晶閘管控制極的允許值，且日10V），
會(huì)損壞單結(jié)晶體管或晶閘管。一般選用20V左右。
    實(shí)用的單結(jié)晶體管觸發(fā)電路的形式有如圖12-19所示的幾種。

(b)利用二級(jí)管抑制負(fù)脈沖
的電路
    
    (e)經(jīng)三極管控制放大的觸發(fā)電路

M29F400BT45N1