結(jié)型場(chǎng)效晶體管(JFET)是利用控制PN結(jié)的反向偏壓，K4S161622D-TC70來控制通道電流的場(chǎng)效晶體管。按照它們的結(jié)構(gòu)，JFET可以分成兩種：N溝道和P溝道。
    在學(xué)完本節(jié)后，我們應(yīng)該能夠：解釋JFET的工作原理；辨識(shí)JFET的三個(gè)端點(diǎn)；解釋何謂溝道；描述N溝道JFET和P溝道JFET在結(jié)構(gòu)上的差異；參與討論電壓如何控制JFET中的電流；辨別代表N溝道和P溝道JFET的符號(hào)。
    圖7.1(a)顯示出N溝道結(jié)型場(chǎng)效晶體管(junction field-effect transistor，JFET)的基本構(gòu)造。溝道的兩端都接上導(dǎo)線，在頂端的是漏極( drain)，源極(source)則在底端。兩個(gè)P型區(qū)域擴(kuò)散進(jìn)入N型基質(zhì)中，形成溝道(channel)，而且兩個(gè)P型區(qū)域都連接到柵極(gate)。為了簡(jiǎn)化圖形，圖中只顯示一個(gè)P型區(qū)域連接到柵極。

                   
    1.基本工作原理
    為說明JFET的工作原理，將N溝道裝置加上直流電壓，如圖7.2所示。提供漏極和源極間電壓，并形成漏極到源極間的電流。而使得柵極和源極間形成反向偏壓，如圖所示。

                        
    JFET工作時(shí)，柵極和源極間的PN結(jié)都是反向偏壓。柵極接上負(fù)電壓會(huì)造成柵源極反向偏壓，在PN結(jié)上形成耗盡區(qū)，耗盡區(qū)會(huì)侵入N溝道，因此縮減了溝道寬度，增加了溝道的電阻值。
    改變柵極電壓，就能控制溝道的寬度，也因此能控制溝道的電阻，最終達(dá)到控制漏極電流的目的，圖7.3說明這樣的概念。白色區(qū)域代表反向偏壓下產(chǎn)生的耗盡區(qū)。往漏極方向的耗盡區(qū)比往源極方向?qū)�，這是因?yàn)闁艠O和源極間反向偏壓，比柵極和源極間大。

                
    2.JFET符號(hào)
    N溝道和P溝道結(jié)型場(chǎng)效晶體管的圖形符號(hào)，顯示在圖7.4中。請(qǐng)注意，柵極上箭頭符號(hào)在N溝道是“向內(nèi)”，在P溝道是“向外”.