我們已經(jīng)知道，大小限制在OV與VGS(off)之間的VGS可以控制漏極電流。 PFR10200CT對(duì)N溝道JFET而言，VGS(off)為負(fù)值，而對(duì)P溝道JFET而言，VGS(off)為正值。因?yàn)閂GS確實(shí)能控制ID所以?xún)烧叩年P(guān)系變得很重要。轉(zhuǎn)換特性曲線(xiàn)是以圖形說(shuō)明VGS和ID的關(guān)系圖形，圖7.12所示為一般的轉(zhuǎn)換特性曲線(xiàn)。

                    
    請(qǐng)注意，曲線(xiàn)的底端是位于VGS軸上的一點(diǎn)，其值等于VGS(off)曲線(xiàn)的頂端是位于ID軸的一點(diǎn)，其值等于IDSS。這個(gè)曲線(xiàn)當(dāng)然也顯示JFET正常工作狀態(tài)的限制，就是

   當(dāng)VGS=VGS(off)時(shí)，ID=0和當(dāng)VGS=0時(shí)，ID=IDSS
    轉(zhuǎn)換特性曲線(xiàn)可以從漏極特性曲線(xiàn)求得，作法是由一系列的漏極特性曲線(xiàn)中，取得各別曲線(xiàn)夾斷點(diǎn)的ID和VGS值，再繪出轉(zhuǎn)換特性曲線(xiàn)的圖形，如圖7.13左邊所示特定曲線(xiàn)。轉(zhuǎn)換特性曲線(xiàn)上的每一點(diǎn)，對(duì)應(yīng)到漏極特性曲線(xiàn)上的特定一組VGS和ID值。例如，當(dāng)VGS=-2V，則ID=4.32mA。對(duì)這個(gè)JFET而言，VGS(off)=-5V且IDSS =12mA。