同一型JFET的轉(zhuǎn)換特性曲線，彼此差異很大。IGP03N120H2例如，在已設(shè)計(jì)好的偏壓電路中，將原2N5459 JFET以另一個(gè)2N5459取代，轉(zhuǎn)換特性曲線可能有很大變化，如圖7.27(a)所示。在這個(gè)實(shí)例中，IDSS的最大值是16mA，最小值是4mA。同樣地，Vcss的最大值是-8V，最小值是-2V。這意思是說，如果有若干2N5459可供選擇，我們?nèi)我馓舫銎渲幸粋�(gè)，它的特性值可以是上述范圍中的任何值。
    如果把自偏壓電路的直流負(fù)載線，畫在圖7.27(b)中，在相同電路的情況下使用2N5459 JFET，Q點(diǎn)可以是沿著負(fù)載線，從最水偏壓點(diǎn)Q1到最大偏壓點(diǎn)Q2中的任一點(diǎn)。因此，漏極電流可以是ID1和ID2間的任意值，如圖所示。這意味著，受ID的影響，漏極直流電壓也會(huì)有一段變動(dòng)范圍。同時(shí)，柵極對(duì)源極電壓可以是VGS2和VGS1間的任意值。

             
    圖7. 28描述自偏壓JFET電路與使用分壓器偏壓的JFET電路時(shí)的Q點(diǎn)穩(wěn)定度情況，放大器使用分壓器偏壓時(shí)，因?yàn)槠湄?fù)載線的斜率比自偏壓情況的斜率小，所以Q點(diǎn)的變化范圍對(duì)ID的影響降低。雖然在自偏壓和分壓器偏壓兩種情況，VGS的變化都很大，但是在分壓器偏壓的情況，ID就比較穩(wěn)定。