旁路電容器
發(fā)布時(shí)間:2011/12/17 10:38:37 訪問(wèn)次數(shù):674
在較低頻率時(shí)，如圖10.1中的C2發(fā)射極旁路電容器的容抗已經(jīng)變得不可忽略，PCI9052發(fā)射極（或FET源極端）不再是交流接地。容抗XC2與RE(或Rs)并聯(lián)產(chǎn)生的阻抗會(huì)使增益值降低。如圖10.2所示。
例如當(dāng)頻率足夠高時(shí)，XC≈0Ω，且共發(fā)射極放大器的電壓增益是Av=Rc/re'。在較低頻率時(shí)，Xc》0Ω，此時(shí)電壓增益是Av= RC/(re+Ze)。
在較低頻率時(shí)，如圖10.1中的C2發(fā)射極旁路電容器的容抗已經(jīng)變得不可忽略，PCI9052發(fā)射極（或FET源極端）不再是交流接地。容抗XC2與RE(或Rs)并聯(lián)產(chǎn)生的阻抗會(huì)使增益值降低。如圖10.2所示。
例如當(dāng)頻率足夠高時(shí)，XC≈0Ω，且共發(fā)射極放大器的電壓增益是Av=Rc/re'。在較低頻率時(shí)，Xc》0Ω，此時(shí)電壓增益是Av= RC/(re+Ze)。
上一篇：耦合電容器的影響
上一篇：晶體管內(nèi)部電容
相關(guān)技術(shù)資料- 9-21供應(yīng)鏈管理實(shí)際就是生產(chǎn)物料管理
- 12-17旁路電容器
熱門(mén)點(diǎn)擊
- NPN型三極管各電極電壓與電流的關(guān)系
- 圖解電阻分壓電路結(jié)構(gòu)
- 電氣設(shè)備絕緣水平的確定
- 變?nèi)荻䴓O管它的結(jié)電容值會(huì)隨著反向偏壓而改變
- 集成運(yùn)放反相器電路
- 閉路電視的安裝
- 放大電路的非線性失真
- 漏電保護(hù)器的接線
- N型與P型半導(dǎo)體
- 推挽式MOSFET放大器
推薦技術(shù)資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺(tái)儀器中同時(shí)實(shí)現(xiàn)時(shí)域和頻域分析，DS... [詳細(xì)]
- AMOLED顯示驅(qū)動(dòng)芯片關(guān)鍵技
- CMOS圖像傳感器技術(shù)參數(shù)設(shè)計(jì)
- GB300 超級(jí)芯片應(yīng)用需求分
- 4NP 工藝NVIDIA Bl
- GB300 芯片、NVL72
- 首個(gè)最新高端芯片人工智能服務(wù)器
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
