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標(biāo)準(zhǔn)放大器的總響應(yīng)曲線

發(fā)布時間:2011/12/17 11:11:39 訪問次數(shù):1834

    在學(xué)完本節(jié)后,我們應(yīng)該能夠:分析放大器的總頻率響應(yīng);求出頻寬;定義增益一頻寬乘積;解釋半功率點(diǎn)。
    圖10. 41(a)BJT放大器的一般理想頻率響應(yīng)曲線(伯德圖)顯示在圖10. 41(b)中。如同先前已經(jīng)討論的,位在低臨界頻率(fc1,fc2,以及fc3)的三個轉(zhuǎn)折點(diǎn),是由耦合電容器和旁路電容器所形成低頻RC電路所產(chǎn)生。位在上臨界頻率,fc4和fc5處的轉(zhuǎn)折點(diǎn),是由晶體管內(nèi)部電容所形成的兩個高頻RC電路產(chǎn)生。

              
    特別令人感興趣的是圖10.41(b)中的兩個主要臨界頻率fc3和fc4。這兩個頻率是放大器電壓增益比中段范圍電壓增益小3dB的地方。這兩個主要頻率分別稱為下臨界頻率(lower critical frequency)fc1和上臨界頻率( upper critical frequency) fcu
    上下兩個臨界頻率有時被稱為半功率頻率( half-power frequencies)。這個名詞是根據(jù)前文提到的放大器在臨界頻率的輸出功率為其中段功率的一半。CB0265A2 可證明如下:在臨界頻率的輸出電壓,是其中段值的0.707倍,

         
 

    在學(xué)完本節(jié)后,我們應(yīng)該能夠:分析放大器的總頻率響應(yīng);求出頻寬;定義增益一頻寬乘積;解釋半功率點(diǎn)。
    圖10. 41(a)BJT放大器的一般理想頻率響應(yīng)曲線(伯德圖)顯示在圖10. 41(b)中。如同先前已經(jīng)討論的,位在低臨界頻率(fc1,fc2,以及fc3)的三個轉(zhuǎn)折點(diǎn),是由耦合電容器和旁路電容器所形成低頻RC電路所產(chǎn)生。位在上臨界頻率,fc4和fc5處的轉(zhuǎn)折點(diǎn),是由晶體管內(nèi)部電容所形成的兩個高頻RC電路產(chǎn)生。

              
    特別令人感興趣的是圖10.41(b)中的兩個主要臨界頻率fc3和fc4。這兩個頻率是放大器電壓增益比中段范圍電壓增益小3dB的地方。這兩個主要頻率分別稱為下臨界頻率(lower critical frequency)fc1和上臨界頻率( upper critical frequency) fcu
    上下兩個臨界頻率有時被稱為半功率頻率( half-power frequencies)。這個名詞是根據(jù)前文提到的放大器在臨界頻率的輸出功率為其中段功率的一半。CB0265A2 可證明如下:在臨界頻率的輸出電壓,是其中段值的0.707倍,

         
 

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