1．場(chǎng)效應(yīng)管串聯(lián)衰減式音量控制器
     圖3-40所示是一種采用MOSFET（金屬．氧化物．半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）的串聯(lián)衰減式音量控制器電路。電路中，門極電壓UG由電位器控制，場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)阻受UG控制。改變場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)阻時(shí)，輸入VT1的音頻信號(hào)將隨之變化。漏極與源極之間電壓UDS大時(shí)，音量小，反之音量大。

     2．負(fù)反饋式場(chǎng)效應(yīng)管音量控制器
    圖3-41所示是另一種負(fù)反饋式場(chǎng)效應(yīng)管音量控制器電路。

                 
    結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)在負(fù)反饋電路中， ITR9606場(chǎng)效應(yīng)管漏極與源極之間內(nèi)阻與Rl并聯(lián)后，與R2構(gòu)成負(fù)反饋電路。場(chǎng)效應(yīng)管漏極與源極之間內(nèi)阻愈小，負(fù)反饋量愈小，放大器增益愈大，音量愈大；反之音量則小。而場(chǎng)效應(yīng)管漏極與源極之間內(nèi)阻又受場(chǎng)效應(yīng)管柵極電壓控制。