高頻消振引腳

發(fā)布時(shí)間:2012/1/13 15:59:27 訪問次數(shù):3032

高頻消振引腳③腳和④腳外電路分析

如圖18-11所示，在Al的③腳和④腳之間接入一只小電容C5（幾百皮

法），這是用來消除可能出現(xiàn)的高頻自激的高頻消振電容。這種作用的

電容在音頻功率放大器集成電路和其他音頻放大器集成電路中比較常見。

這里用如圖18-12所示電路說明這類電容的工作原理。

Al的③和④腳內(nèi)電路中是一只放大三極管VT1，⑧腳是該三極管的基極，

④腳是該三極管的集電極，所以消振電容C5實(shí)際上是接在放大三極管VT1的

基極與集電極之間，構(gòu)成高頻電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路，用來消除可能出現(xiàn)的高

頻自激。

(1)負(fù)反饋電阻Rl分析。在解說高頻消振電容C5的工作原理前，先說明

由Rl杓成的電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路的工作原理。Rl也是并聯(lián)在放大三極管VT1

基極與集電極之間的，所以也構(gòu)成了電壓并聯(lián)反饋電路。電路的工作原理

有以下幾點(diǎn)。

①R1 -端接在放大器的輸出端（集電極），另一端接在輸入端（基極），

所以Rl構(gòu)成負(fù)反饋電路。

②負(fù)反饋電路的工作過程為：設(shè)VT1基極信號(hào)電壓f—VT1基極電流f

（VT1是NPN型三極管，基極電壓升高，基極電流增大）一VT1集電極電流f

（集電極電流受基極電流控制）一VT1集電極信號(hào)電壓I’（集電極信號(hào)電

壓與電流之間成反相關(guān)系）一VT1基極信號(hào)電壓{（通過Rl）一VT1基極電

流I。這是負(fù)反饋過程，所以Rl是負(fù)反饋電阻。

③負(fù)反饋電路的工作過程還可以用VT1基極信號(hào)電壓減小來說明：設(shè)

某一瞬間VT1的基極信號(hào)電壓I - VT1基極電流l（VT1基極電流減小說明

信號(hào)的負(fù)半周幅度在增大）一VT1集電極電流I—VT1集電極信號(hào)電壓f—

VT1基極信號(hào)電壓f（通過Rl）一VT1基極電流f（說明負(fù)半周的幅度在減

小，使凈輸入VT1基極的負(fù)半周信號(hào)在減�。�，所以這也是負(fù)反饋過程。

④由于電阻接在VT1的基極與集電極之間，在Rl回路中沒有隔直流

的元器件，從VT1集電極反饋到VT1基極酌電流，可以是直流信號(hào)，也可

以是交流信號(hào)，這樣上述負(fù)反饋過程的分析同時(shí)適合于直流和交流信號(hào)，

所以Rl對(duì)直流和交流信號(hào)都存在負(fù)反饋?zhàn)饔茫且粋€(gè)直流和交流雙重負(fù)

反饋電路。

⑤Rl阻值大小對(duì)負(fù)反饋量有直接影響。當(dāng)Rl阻值大時(shí)，從VT1集電

極加到VT1基極的負(fù)反饋信號(hào)就小，若Rl阻值大到極限情況時(shí)Rl開路，此

時(shí)沒有負(fù)反饋信號(hào)加到VT1的基極，便不存在負(fù)反饋。所以在這種負(fù)反饋

電路中，Rl阻值愈大，負(fù)反饋量愈小，放大器的放大倍數(shù)愈大。

⑥由于Rl對(duì)不同頻率的交流信號(hào)存在相同的阻值，所以對(duì)交流信號(hào)

的頻率沒有選擇特性。這樣Rl對(duì)所有頻率的交流信號(hào)存在相同的負(fù)反饋?zhàn)饔谩?/FONT>

(2)高頻負(fù)反饋電容C5分析。從電路中可以看出，在負(fù)反饋電阻Rl上還

并聯(lián)了一只容量很小的電容C5（C5的容量為510pF，在音頻放大器電路中

是容量很小的電容），對(duì)C5的負(fù)反饋過程分析同Rl的分析過程一樣。由于

電容器和電阻器的特性不同，所以電容的負(fù)反饋原理有所不同，主要說明

以下幾點(diǎn)。

①電容器具有隔直作用，這樣VT1集電極上的直流信號(hào)不能通過C5負(fù)

反饋到VT1的基極，所以C5不存在直流負(fù)反饋的作用。

②VT1構(gòu)成的是音頻放大器電路，而C5的容量只有510pF，這么小的

電容對(duì)音頻信號(hào)的容抗是很大的，相當(dāng)于開路，音頻信號(hào)也不能通過C5

加到VT1基極，所以C5對(duì)音頻信號(hào)也不存在負(fù)反饋的作用。

③C5對(duì)于比音頻更高的信號(hào)其容抗很小，所以VT1集電極上的這種高

頻信號(hào)可以通過C5傳輸?shù)絍T1基極，這樣C5只對(duì)頻率很高的信號(hào)具有負(fù)反

饋?zhàn)饔谩?/FONT>

在放大器電路中，會(huì)產(chǎn)生高頻自激現(xiàn)象，一旦出現(xiàn)這種高頻自激，放大

器就不能正常工作，為此要設(shè)置像C5這樣的高頻負(fù)廈饋電容。由于C5對(duì)這

種高頻信號(hào)具有強(qiáng)烈的負(fù)反饋?zhàn)饔茫糯笃鲗?duì)這種高頻信號(hào)的放大倍數(shù)很

小，這樣可達(dá)到消除放大器高頻自激的目的。音頻放大器電路中，像C5這

種作用的電容稱為高頻消振電容。

(3)高頻消振電路的變異電路。音頻放大器集成電路高頻消振引腳也

有例外情況，在集成電路的某一引腳與地之間接入一只幾千皮法的小電容，

圖18-13(a)、(b)所示是這種引腳的內(nèi)電路示意圖，用內(nèi)電路示意圖可以

說明這種消振電路的工作原理。這種高頻消振電路的變異電路通常稱為滯

后式消振電路。

內(nèi)電路中的VT1、VT2構(gòu)成兩級(jí)直接耦合放大器，在兩級(jí)放大器電路之

間接入了R3和Cl，這兩個(gè)元器件構(gòu)成了滯后式高頻消振電路滯后式消振電

路又稱主極點(diǎn)校正電路。

該電路的工作原理是：從VT1集電極輸出的信號(hào)經(jīng)過R3和Cl后，信號(hào)

的相位得到滯后移相，也就是傳輸?shù)絍I2基極的信號(hào)相位比VT1集電極輸出

的信號(hào)相位滯后了，這就破壞了自激的相位條件，達(dá)到消除自激的目的。

因?yàn)樵谙耠娐分校ǔＪ瞧茐淖约ば盘?hào)的相位條件。

該電路能夠消除自激的原理還可以這么去理解：R3和Cl構(gòu)成一個(gè)分

壓電路，由于產(chǎn)生白激的信號(hào)頻率比較高，Cl對(duì)產(chǎn)生自激的高頻信號(hào)

其容抗很小，這樣分壓電路對(duì)該頻率信號(hào)的分壓衰減很大，使輸入VT2

的信號(hào)幅度很小，達(dá)到消除自激的目的，這是從破壞自激幅度條件角度

來理解的。 BTA41-1200B