電效應(yīng)和壓電諧振
發(fā)布時(shí)間:2012/2/11 21:45:26 訪問次數(shù):1608
石英晶片之所以能做成諧振器是基于它的壓電效應(yīng)。若在晶片兩面施加機(jī)械力,沿受力方向?qū)a(chǎn)生電場(chǎng),晶片兩面產(chǎn)生異電荷,這種效應(yīng)稱正向壓電效應(yīng);若在晶片處加一電場(chǎng),晶片將產(chǎn)生機(jī)械變形,這種效應(yīng)稱為反向壓電效應(yīng)。事實(shí)上,正、反向壓電效應(yīng)同時(shí)存在,電場(chǎng)產(chǎn)生機(jī)械形變,機(jī)械形變產(chǎn)生電場(chǎng),兩者相互限制,最后達(dá)到平衡態(tài)。JM54AC244BRA
在石英諧振器兩極板上加交變電壓,晶片將隨交變電壓周期性地機(jī)械振動(dòng)。當(dāng)交變電壓頻率與晶片固有諧振頻率相等時(shí),振幅驟然增大,這種現(xiàn)象稱為壓電諧振。產(chǎn)生壓電諧振時(shí)的頻率稱為石英晶體的諧振頻率。
等效電路和振蕩頻率
石英晶體的等效電路如圖4 - 18(a)所示。當(dāng)品體不振動(dòng)時(shí),可等效為一個(gè)平板電容Co,稱靜態(tài)電容,其值為幾pF到幾十pF。當(dāng)晶體振動(dòng)時(shí),可用L和C分別等效晶體振動(dòng)時(shí)的慣性和彈性,用R等效晶體振動(dòng)時(shí)的摩擦損耗。一般L為1×10 3~1×10-2 H,C為1×10-2~1×10-1 pF,R約為100 n。由于L很大,C和R很小,回路的品質(zhì)因數(shù)Q值極高,可達(dá)1×l04~1×l06,這對(duì)振蕩頻率的穩(wěn)定很有好處。而晶體的固有頻率只與晶片的幾何尺寸和電極面積有關(guān),所以可以做得很精確、很穩(wěn)定。
石英晶片之所以能做成諧振器是基于它的壓電效應(yīng)。若在晶片兩面施加機(jī)械力,沿受力方向?qū)a(chǎn)生電場(chǎng),晶片兩面產(chǎn)生異電荷,這種效應(yīng)稱正向壓電效應(yīng);若在晶片處加一電場(chǎng),晶片將產(chǎn)生機(jī)械變形,這種效應(yīng)稱為反向壓電效應(yīng)。事實(shí)上,正、反向壓電效應(yīng)同時(shí)存在,電場(chǎng)產(chǎn)生機(jī)械形變,機(jī)械形變產(chǎn)生電場(chǎng),兩者相互限制,最后達(dá)到平衡態(tài)。JM54AC244BRA
在石英諧振器兩極板上加交變電壓,晶片將隨交變電壓周期性地機(jī)械振動(dòng)。當(dāng)交變電壓頻率與晶片固有諧振頻率相等時(shí),振幅驟然增大,這種現(xiàn)象稱為壓電諧振。產(chǎn)生壓電諧振時(shí)的頻率稱為石英晶體的諧振頻率。
等效電路和振蕩頻率
石英晶體的等效電路如圖4 - 18(a)所示。當(dāng)品體不振動(dòng)時(shí),可等效為一個(gè)平板電容Co,稱靜態(tài)電容,其值為幾pF到幾十pF。當(dāng)晶體振動(dòng)時(shí),可用L和C分別等效晶體振動(dòng)時(shí)的慣性和彈性,用R等效晶體振動(dòng)時(shí)的摩擦損耗。一般L為1×10 3~1×10-2 H,C為1×10-2~1×10-1 pF,R約為100 n。由于L很大,C和R很小,回路的品質(zhì)因數(shù)Q值極高,可達(dá)1×l04~1×l06,這對(duì)振蕩頻率的穩(wěn)定很有好處。而晶體的固有頻率只與晶片的幾何尺寸和電極面積有關(guān),所以可以做得很精確、很穩(wěn)定。
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