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利用I/O引腳為外部器件供電

發(fā)布時間:2012/2/18 18:12:52 訪問次數(shù):864

    在嵌入式系統(tǒng)中,SDRAM常用做數(shù)據(jù)存儲器。如果微處理器的本地總線頻率為66~100MH。(如MPC8270),采用SDR SDRAM(單數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)的存儲容量和速度均能滿足要求,如MT48LC2M3282。 IC0603A103R-10    
    SDR SDRAM存儲器芯片的有效工作電流可以達(dá)到幾百mA,見表1.4,MT48LC2M3282的有效工作電流為150mA,自動刷新模式電流為225 mA,而低功耗待機模式電流僅為2mA。設(shè)計時應(yīng)控制存儲器芯片僅在數(shù)據(jù)讀/寫時才有效(片選信號有效),一旦讀/寫完成,即刻使片選信號無效,存儲器芯片便處于低功耗的數(shù)據(jù)保持狀態(tài)。
    針對SDR SDRAM的低功耗設(shè)計,可以采取如下措施:
    ·低電壓供電,如3. 3V。
    ·在能夠滿足系統(tǒng)要求的情況下,盡量選擇單片存儲器。
    ·存儲器芯片直接焊接在電路板上,而不使用內(nèi)存條的方式。
    ·采用低功耗的Power-Down模式。

    ·采用低功耗的Self-Refresh Mode(自刷新模式)。

          

    在嵌入式系統(tǒng)中,SDRAM常用做數(shù)據(jù)存儲器。如果微處理器的本地總線頻率為66~100MH。(如MPC8270),采用SDR SDRAM(單數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)的存儲容量和速度均能滿足要求,如MT48LC2M3282。 IC0603A103R-10    
    SDR SDRAM存儲器芯片的有效工作電流可以達(dá)到幾百mA,見表1.4,MT48LC2M3282的有效工作電流為150mA,自動刷新模式電流為225 mA,而低功耗待機模式電流僅為2mA。設(shè)計時應(yīng)控制存儲器芯片僅在數(shù)據(jù)讀/寫時才有效(片選信號有效),一旦讀/寫完成,即刻使片選信號無效,存儲器芯片便處于低功耗的數(shù)據(jù)保持狀態(tài)。
    針對SDR SDRAM的低功耗設(shè)計,可以采取如下措施:
    ·低電壓供電,如3. 3V。
    ·在能夠滿足系統(tǒng)要求的情況下,盡量選擇單片存儲器。
    ·存儲器芯片直接焊接在電路板上,而不使用內(nèi)存條的方式。
    ·采用低功耗的Power-Down模式。

    ·采用低功耗的Self-Refresh Mode(自刷新模式)。

          

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