利用I/O引腳為外部器件供電
發(fā)布時間:2012/2/18 18:12:52 訪問次數(shù):864
在嵌入式系統(tǒng)中,SDRAM常用做數(shù)據(jù)存儲器。如果微處理器的本地總線頻率為66~100MH。(如MPC8270),采用SDR SDRAM(單數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)的存儲容量和速度均能滿足要求,如MT48LC2M3282。 IC0603A103R-10
SDR SDRAM存儲器芯片的有效工作電流可以達(dá)到幾百mA,見表1.4,MT48LC2M3282的有效工作電流為150mA,自動刷新模式電流為225 mA,而低功耗待機模式電流僅為2mA。設(shè)計時應(yīng)控制存儲器芯片僅在數(shù)據(jù)讀/寫時才有效(片選信號有效),一旦讀/寫完成,即刻使片選信號無效,存儲器芯片便處于低功耗的數(shù)據(jù)保持狀態(tài)。
針對SDR SDRAM的低功耗設(shè)計,可以采取如下措施:
·低電壓供電,如3. 3V。
·在能夠滿足系統(tǒng)要求的情況下,盡量選擇單片存儲器。
·存儲器芯片直接焊接在電路板上,而不使用內(nèi)存條的方式。
·采用低功耗的Power-Down模式。
·采用低功耗的Self-Refresh Mode(自刷新模式)。
在嵌入式系統(tǒng)中,SDRAM常用做數(shù)據(jù)存儲器。如果微處理器的本地總線頻率為66~100MH。(如MPC8270),采用SDR SDRAM(單數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)的存儲容量和速度均能滿足要求,如MT48LC2M3282。 IC0603A103R-10
SDR SDRAM存儲器芯片的有效工作電流可以達(dá)到幾百mA,見表1.4,MT48LC2M3282的有效工作電流為150mA,自動刷新模式電流為225 mA,而低功耗待機模式電流僅為2mA。設(shè)計時應(yīng)控制存儲器芯片僅在數(shù)據(jù)讀/寫時才有效(片選信號有效),一旦讀/寫完成,即刻使片選信號無效,存儲器芯片便處于低功耗的數(shù)據(jù)保持狀態(tài)。
針對SDR SDRAM的低功耗設(shè)計,可以采取如下措施:
·低電壓供電,如3. 3V。
·在能夠滿足系統(tǒng)要求的情況下,盡量選擇單片存儲器。
·存儲器芯片直接焊接在電路板上,而不使用內(nèi)存條的方式。
·采用低功耗的Power-Down模式。
·采用低功耗的Self-Refresh Mode(自刷新模式)。
熱門點擊
- 三極管電路圖形符號
- 穩(wěn)壓二極管結(jié)構(gòu)和工作原理
- 三極管的電流放大作用
- 倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC
- 變壓器常用參數(shù)及參數(shù)識別方法
- 用555定時器組成的多諧振蕩器
- 橋堆構(gòu)成的整流電路
- 研究負(fù)反饋對放大電路性能的影響
- 三端可調(diào)輸出集成穩(wěn)壓器
- RC低頻提升電路
推薦技術(shù)資料
- DFRobot—玩的就是
- 如果說新車間的特點是“靈動”,F(xiàn)QPF12N60C那么... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究