估算靜態(tài)電流/DD-DEEPSLEEP
發(fā)布時(shí)間:2012/2/20 21:30:12 訪問(wèn)次數(shù):1343
Blackfin處理器深度睡眠模式是指在處理器關(guān)閉了所有時(shí)鐘，但對(duì)處理器內(nèi)核和Ll存儲(chǔ)器仍供電時(shí)的處理器狀態(tài)。在該模式下，可以測(cè)量它是指總的平均損耗中的基礎(chǔ)靜態(tài)部分。Blackfin處理器，電流圖如圖2.27（高性能處理器）和圖2.28（低功耗處理器）所示。電源域上的靜態(tài)電流是接口溫度和電壓的函數(shù)，但不是頻率和活動(dòng)水平的函數(shù)。因此，不像內(nèi)部電流中的動(dòng)態(tài)部分，不需要為每個(gè)離散活動(dòng)水平或功率矢量計(jì)算靜態(tài)電流。利用與實(shí)際應(yīng)用對(duì)應(yīng)的靜態(tài)電流曲線，就能夠估算Blackfin處埋器隨Tj變化。B0530W-7
例如，某個(gè)應(yīng)用中的VDDNT，為1.2V，高性能Blackfin處理器工作的Tj為+lOO℃，則相對(duì)應(yīng)的DDINT電源域的/DD—DEEPSI,EEP約為375mA。
同樣，某個(gè)應(yīng)用中的VDDIN為1.2V，低功耗Blackfin處理器工作的Tj為+100℃，則相對(duì)應(yīng)的VDDINT電源域的IDD一DFEEPSLEEP,約為lOOmA。
在給定電壓和溫度下，Blackfin處理器的靜態(tài)功耗是常量。因此，計(jì)算Blackfin處理器內(nèi)部電路的總功耗時(shí)，只需簡(jiǎn)單加上估算出的總的動(dòng)態(tài)電流即可。注意，圖2. 27和圖2.28中所示的電流分別代表了高性能和低功耗器件的晶片制造過(guò)程中，所測(cè)量到的最壞情況下的靜態(tài)電流。
例如，某個(gè)應(yīng)用中的VDDNT，為1.2V，高性能Blackfin處理器工作的Tj為+lOO℃，則相對(duì)應(yīng)的DDINT電源域的/DD—DEEPSI,EEP約為375mA。
同樣，某個(gè)應(yīng)用中的VDDIN為1.2V，低功耗Blackfin處理器工作的Tj為+100℃，則相對(duì)應(yīng)的VDDINT電源域的IDD一DFEEPSLEEP,約為lOOmA。
在給定電壓和溫度下，Blackfin處理器的靜態(tài)功耗是常量。因此，計(jì)算Blackfin處理器內(nèi)部電路的總功耗時(shí)，只需簡(jiǎn)單加上估算出的總的動(dòng)態(tài)電流即可。注意，圖2. 27和圖2.28中所示的電流分別代表了高性能和低功耗器件的晶片制造過(guò)程中，所測(cè)量到的最壞情況下的靜態(tài)電流。
Blackfin處理器深度睡眠模式是指在處理器關(guān)閉了所有時(shí)鐘，但對(duì)處理器內(nèi)核和Ll存儲(chǔ)器仍供電時(shí)的處理器狀態(tài)。在該模式下，可以測(cè)量它是指總的平均損耗中的基礎(chǔ)靜態(tài)部分。Blackfin處理器，電流圖如圖2.27（高性能處理器）和圖2.28（低功耗處理器）所示。電源域上的靜態(tài)電流是接口溫度和電壓的函數(shù)，但不是頻率和活動(dòng)水平的函數(shù)。因此，不像內(nèi)部電流中的動(dòng)態(tài)部分，不需要為每個(gè)離散活動(dòng)水平或功率矢量計(jì)算靜態(tài)電流。利用與實(shí)際應(yīng)用對(duì)應(yīng)的靜態(tài)電流曲線，就能夠估算Blackfin處埋器隨Tj變化。B0530W-7
例如，某個(gè)應(yīng)用中的VDDNT，為1.2V，高性能Blackfin處理器工作的Tj為+lOO℃，則相對(duì)應(yīng)的DDINT電源域的/DD—DEEPSI,EEP約為375mA。
同樣，某個(gè)應(yīng)用中的VDDIN為1.2V，低功耗Blackfin處理器工作的Tj為+100℃，則相對(duì)應(yīng)的VDDINT電源域的IDD一DFEEPSLEEP,約為lOOmA。
在給定電壓和溫度下，Blackfin處理器的靜態(tài)功耗是常量。因此，計(jì)算Blackfin處理器內(nèi)部電路的總功耗時(shí)，只需簡(jiǎn)單加上估算出的總的動(dòng)態(tài)電流即可。注意，圖2. 27和圖2.28中所示的電流分別代表了高性能和低功耗器件的晶片制造過(guò)程中，所測(cè)量到的最壞情況下的靜態(tài)電流。
例如，某個(gè)應(yīng)用中的VDDNT，為1.2V，高性能Blackfin處理器工作的Tj為+lOO℃，則相對(duì)應(yīng)的DDINT電源域的/DD—DEEPSI,EEP約為375mA。
同樣，某個(gè)應(yīng)用中的VDDIN為1.2V，低功耗Blackfin處理器工作的Tj為+100℃，則相對(duì)應(yīng)的VDDINT電源域的IDD一DFEEPSLEEP,約為lOOmA。
在給定電壓和溫度下，Blackfin處理器的靜態(tài)功耗是常量。因此，計(jì)算Blackfin處理器內(nèi)部電路的總功耗時(shí)，只需簡(jiǎn)單加上估算出的總的動(dòng)態(tài)電流即可。注意，圖2. 27和圖2.28中所示的電流分別代表了高性能和低功耗器件的晶片制造過(guò)程中，所測(cè)量到的最壞情況下的靜態(tài)電流。
上一篇：Blackfin處理器的外部功耗
相關(guān)技術(shù)資料- 2-20估算靜態(tài)電流/DD-DEEPSLEEP
- 相關(guān)IC型號(hào)
- B0530W-7
- B0530-LW
- B0530W
- B0530W-7-F
- B0530WS
- B0530WS-7
- B0530WS-7-F
- B0535AEB2-8
熱門點(diǎn)擊
- 磁棒天線結(jié)構(gòu)和工作原理
- 雙向晶閘管的4種觸發(fā)狀態(tài)
- 場(chǎng)效應(yīng)管電路圖形符號(hào)
- 用萬(wàn)用表分辨三極管的方法
- 場(chǎng)效應(yīng)管作用
- 電感三點(diǎn)式正弦波振蕩器電路
- 偏轉(zhuǎn)線圈電路
- 單次脈沖發(fā)生電路
- LC自由諧振過(guò)程
- 正向特性和反向特性
推薦技術(shù)資料
- Seeed Studio
- Seeed Studio紿我們的印象總是和繪畫(huà)脫離不了... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
