輸出級(jí)
發(fā)布時(shí)間:2012/3/1 20:46:55 訪問(wèn)次數(shù):947
低壓設(shè)計(jì)可能不需要滿(mǎn)擺幅輸入特性，但卻需要滿(mǎn)擺幅輸出，以盡量擴(kuò)大動(dòng)態(tài)范圍。閃為運(yùn)算放大器在多數(shù)應(yīng)用中提供放大功能，所以輸出電壓通常大于輸入電壓。因此，并不總是需要滿(mǎn)擺幅輸入，卻常常需要滿(mǎn)攖幅輸出，滿(mǎn)擺幅輸出級(jí)不同于雙電源運(yùn)算放大器中的輸出級(jí)。20D180K
運(yùn)算放大器的滿(mǎn)擺幅輸出級(jí)一般包含一個(gè)共發(fā)射極放大器，標(biāo)準(zhǔn)的輸出級(jí)通常是射極跟隨器。但典型的射極跟隨器輸出與電源擺幅的差值（由電流源產(chǎn)生）與（由輸出晶體管產(chǎn)生）之和。
因?yàn)殡p極型晶體管取決于流過(guò)晶體管的電流，所以雙極型運(yùn)算放大器的輸出擺幅與負(fù)載電流有關(guān)。由此可見(jiàn)，放大器雖然標(biāo)稱(chēng)是滿(mǎn)擺幅輸出，但其輸出級(jí)實(shí)際上并不能夠達(dá)到滿(mǎn)電源幅度。例如，MAX4122的負(fù)載電阻為lOOkfl,，最大擺幅與正電源電壓相差12mV，與負(fù)電源電壓相差20mV。然而，負(fù)載為250C1時(shí)，擺幅只能達(dá)到正電源電壓的240mV以?xún)?nèi)、負(fù)電源電壓的125mV以?xún)?nèi)。
對(duì)于CMOS輸出級(jí)，雙極型晶體管的集電極一發(fā)射極電壓則對(duì)應(yīng)于MOSFET的漏一源電壓，漏一源電壓是MOSFET導(dǎo)通電阻溝道電流之積。因此，MOSFET輸出級(jí)的電壓擺幅也是負(fù)載的函數(shù)。
運(yùn)算放大器的滿(mǎn)擺幅輸出級(jí)一般包含一個(gè)共發(fā)射極放大器，標(biāo)準(zhǔn)的輸出級(jí)通常是射極跟隨器。但典型的射極跟隨器輸出與電源擺幅的差值（由電流源產(chǎn)生）與（由輸出晶體管產(chǎn)生）之和。
因?yàn)殡p極型晶體管取決于流過(guò)晶體管的電流，所以雙極型運(yùn)算放大器的輸出擺幅與負(fù)載電流有關(guān)。由此可見(jiàn)，放大器雖然標(biāo)稱(chēng)是滿(mǎn)擺幅輸出，但其輸出級(jí)實(shí)際上并不能夠達(dá)到滿(mǎn)電源幅度。例如，MAX4122的負(fù)載電阻為lOOkfl,，最大擺幅與正電源電壓相差12mV，與負(fù)電源電壓相差20mV。然而，負(fù)載為250C1時(shí)，擺幅只能達(dá)到正電源電壓的240mV以?xún)?nèi)、負(fù)電源電壓的125mV以?xún)?nèi)。
對(duì)于CMOS輸出級(jí)，雙極型晶體管的集電極一發(fā)射極電壓則對(duì)應(yīng)于MOSFET的漏一源電壓，漏一源電壓是MOSFET導(dǎo)通電阻溝道電流之積。因此，MOSFET輸出級(jí)的電壓擺幅也是負(fù)載的函數(shù)。
低壓設(shè)計(jì)可能不需要滿(mǎn)擺幅輸入特性，但卻需要滿(mǎn)擺幅輸出，以盡量擴(kuò)大動(dòng)態(tài)范圍。閃為運(yùn)算放大器在多數(shù)應(yīng)用中提供放大功能，所以輸出電壓通常大于輸入電壓。因此，并不總是需要滿(mǎn)擺幅輸入，卻常常需要滿(mǎn)攖幅輸出，滿(mǎn)擺幅輸出級(jí)不同于雙電源運(yùn)算放大器中的輸出級(jí)。20D180K
運(yùn)算放大器的滿(mǎn)擺幅輸出級(jí)一般包含一個(gè)共發(fā)射極放大器，標(biāo)準(zhǔn)的輸出級(jí)通常是射極跟隨器。但典型的射極跟隨器輸出與電源擺幅的差值（由電流源產(chǎn)生）與（由輸出晶體管產(chǎn)生）之和。
因?yàn)殡p極型晶體管取決于流過(guò)晶體管的電流，所以雙極型運(yùn)算放大器的輸出擺幅與負(fù)載電流有關(guān)。由此可見(jiàn)，放大器雖然標(biāo)稱(chēng)是滿(mǎn)擺幅輸出，但其輸出級(jí)實(shí)際上并不能夠達(dá)到滿(mǎn)電源幅度。例如，MAX4122的負(fù)載電阻為lOOkfl,，最大擺幅與正電源電壓相差12mV，與負(fù)電源電壓相差20mV。然而，負(fù)載為250C1時(shí)，擺幅只能達(dá)到正電源電壓的240mV以?xún)?nèi)、負(fù)電源電壓的125mV以?xún)?nèi)。
對(duì)于CMOS輸出級(jí)，雙極型晶體管的集電極一發(fā)射極電壓則對(duì)應(yīng)于MOSFET的漏一源電壓，漏一源電壓是MOSFET導(dǎo)通電阻溝道電流之積。因此，MOSFET輸出級(jí)的電壓擺幅也是負(fù)載的函數(shù)。
運(yùn)算放大器的滿(mǎn)擺幅輸出級(jí)一般包含一個(gè)共發(fā)射極放大器，標(biāo)準(zhǔn)的輸出級(jí)通常是射極跟隨器。但典型的射極跟隨器輸出與電源擺幅的差值（由電流源產(chǎn)生）與（由輸出晶體管產(chǎn)生）之和。
因?yàn)殡p極型晶體管取決于流過(guò)晶體管的電流，所以雙極型運(yùn)算放大器的輸出擺幅與負(fù)載電流有關(guān)。由此可見(jiàn)，放大器雖然標(biāo)稱(chēng)是滿(mǎn)擺幅輸出，但其輸出級(jí)實(shí)際上并不能夠達(dá)到滿(mǎn)電源幅度。例如，MAX4122的負(fù)載電阻為lOOkfl,，最大擺幅與正電源電壓相差12mV，與負(fù)電源電壓相差20mV。然而，負(fù)載為250C1時(shí)，擺幅只能達(dá)到正電源電壓的240mV以?xún)?nèi)、負(fù)電源電壓的125mV以?xún)?nèi)。
對(duì)于CMOS輸出級(jí)，雙極型晶體管的集電極一發(fā)射極電壓則對(duì)應(yīng)于MOSFET的漏一源電壓，漏一源電壓是MOSFET導(dǎo)通電阻溝道電流之積。因此，MOSFET輸出級(jí)的電壓擺幅也是負(fù)載的函數(shù)。
相關(guān)技術(shù)資料- 3-1輸出級(jí)
- 相關(guān)IC型號(hào)
- 20D180K
- 暫無(wú)最新型號(hào)
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 單門(mén)限電壓比較器
- 集成電路引腳作用
- 正弦波振蕩器的組成及分類(lèi)
- TDA2030實(shí)用電路
- 集成運(yùn)算放大器應(yīng)用舉例
- STM32的PCB設(shè)計(jì)建議
- 示波器屏幕波形顯示
- 放大器干擾、噪聲抑制和自激振蕩的消除
- LM386應(yīng)用電路
- 熱敏電阻測(cè)量電路
推薦技術(shù)資料
- 單片機(jī)版光立方的制作
- N視頻: http://v.youku.comN_sh... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開(kāi)
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門(mén)信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
