輸入阻抗
發(fā)布時(shí)間:2012/3/4 15:55:44 訪問次數(shù):1225
理想的比較器的輸入阻抗為無窮大，因此，理論上對(duì)輸入信號(hào)不產(chǎn)生影響。而實(shí)際上比較器的輸入阻抗不可能做到無窮大，輸入端有電流經(jīng)過信號(hào)源內(nèi)阻并流入比較器內(nèi)部，從而產(chǎn)生額外的壓差。偏置電流(IBIAS)定義為兩個(gè)比較器輸入電流的中值，用于衡量輸入阻抗的影響。例如，MAX917、MAX9117系列比較器在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的最大偏置電流僅為2nA，室溫下（TA=+25℃）偏置電流低于InA。 A777
輸入電壓
隨著低電壓應(yīng)用的普及，為進(jìn)一步優(yōu)化比較器的工作電壓范圍，一些公司（如MAXIM公司）利用NPN管與PNP管相并聯(lián)的結(jié)構(gòu)作為比較器的輸入級(jí)，從而使比較器的輸入電壓得以擴(kuò)展，可以比電源電壓高出250mV，達(dá)到了所謂的超電源擺幅標(biāo)準(zhǔn)，這種比較器的輸入端允許有較大的共模電壓。
比較器輸出
由于比較器僅有兩個(gè)不同的輸出狀態(tài)，零電平或電源電壓，具有滿電源擺幅特性的比較器輸出級(jí)為射極跟隨器，達(dá)使得其輸出信號(hào)與電源擺幅之間僅有極小的壓差。該壓差取決于比較器內(nèi)部晶體管飽和狀態(tài)下的集電極與發(fā)射極之間的電壓。CMOS滿擺幅比較器的輸出電壓取決于飽和狀態(tài)下的MOSFET。與雙極型晶體管結(jié)構(gòu)相比，在輕載情況下電壓更接近電源電壓。
輸出延遲時(shí)間A777
輸出延遲時(shí)間是選擇比較器的關(guān)鍵參數(shù)，延遲時(shí)間包括信號(hào)通過元器件產(chǎn)生的傳輸延時(shí)和信號(hào)的上升時(shí)間與下降時(shí)間。對(duì)于高速比較器，如MAX961、MAX9010～MAX9013，其延遲時(shí)間的典型值分別達(dá)到4. Sns和Sns，上升時(shí)間為2.3ns和3ns（注意：傳輸延時(shí)的測(cè)量包含了上升時(shí)間）。設(shè)計(jì)時(shí)需注意不同因素對(duì)延遲時(shí)間的影響，其中包括溫度、容性負(fù)載、輸入過驅(qū)動(dòng)等因素。對(duì)于反相輸入，傳輸延時(shí)用TPD-表示；對(duì)于同相輸入，傳輸延時(shí)用TPD+表示。tPD+與TPD-之差稱為偏差。電源電壓對(duì)傳輸延時(shí)也有較大影響。
輸入電壓
隨著低電壓應(yīng)用的普及，為進(jìn)一步優(yōu)化比較器的工作電壓范圍，一些公司（如MAXIM公司）利用NPN管與PNP管相并聯(lián)的結(jié)構(gòu)作為比較器的輸入級(jí)，從而使比較器的輸入電壓得以擴(kuò)展，可以比電源電壓高出250mV，達(dá)到了所謂的超電源擺幅標(biāo)準(zhǔn)，這種比較器的輸入端允許有較大的共模電壓。
比較器輸出
由于比較器僅有兩個(gè)不同的輸出狀態(tài)，零電平或電源電壓，具有滿電源擺幅特性的比較器輸出級(jí)為射極跟隨器，達(dá)使得其輸出信號(hào)與電源擺幅之間僅有極小的壓差。該壓差取決于比較器內(nèi)部晶體管飽和狀態(tài)下的集電極與發(fā)射極之間的電壓。CMOS滿擺幅比較器的輸出電壓取決于飽和狀態(tài)下的MOSFET。與雙極型晶體管結(jié)構(gòu)相比，在輕載情況下電壓更接近電源電壓。
輸出延遲時(shí)間A777
輸出延遲時(shí)間是選擇比較器的關(guān)鍵參數(shù)，延遲時(shí)間包括信號(hào)通過元器件產(chǎn)生的傳輸延時(shí)和信號(hào)的上升時(shí)間與下降時(shí)間。對(duì)于高速比較器，如MAX961、MAX9010～MAX9013，其延遲時(shí)間的典型值分別達(dá)到4. Sns和Sns，上升時(shí)間為2.3ns和3ns（注意：傳輸延時(shí)的測(cè)量包含了上升時(shí)間）。設(shè)計(jì)時(shí)需注意不同因素對(duì)延遲時(shí)間的影響，其中包括溫度、容性負(fù)載、輸入過驅(qū)動(dòng)等因素。對(duì)于反相輸入，傳輸延時(shí)用TPD-表示；對(duì)于同相輸入，傳輸延時(shí)用TPD+表示。tPD+與TPD-之差稱為偏差。電源電壓對(duì)傳輸延時(shí)也有較大影響。
理想的比較器的輸入阻抗為無窮大，因此，理論上對(duì)輸入信號(hào)不產(chǎn)生影響。而實(shí)際上比較器的輸入阻抗不可能做到無窮大，輸入端有電流經(jīng)過信號(hào)源內(nèi)阻并流入比較器內(nèi)部，從而產(chǎn)生額外的壓差。偏置電流(IBIAS)定義為兩個(gè)比較器輸入電流的中值，用于衡量輸入阻抗的影響。例如，MAX917、MAX9117系列比較器在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的最大偏置電流僅為2nA，室溫下（TA=+25℃）偏置電流低于InA。 A777
輸入電壓
隨著低電壓應(yīng)用的普及，為進(jìn)一步優(yōu)化比較器的工作電壓范圍，一些公司（如MAXIM公司）利用NPN管與PNP管相并聯(lián)的結(jié)構(gòu)作為比較器的輸入級(jí)，從而使比較器的輸入電壓得以擴(kuò)展，可以比電源電壓高出250mV，達(dá)到了所謂的超電源擺幅標(biāo)準(zhǔn)，這種比較器的輸入端允許有較大的共模電壓。
比較器輸出
由于比較器僅有兩個(gè)不同的輸出狀態(tài)，零電平或電源電壓，具有滿電源擺幅特性的比較器輸出級(jí)為射極跟隨器，達(dá)使得其輸出信號(hào)與電源擺幅之間僅有極小的壓差。該壓差取決于比較器內(nèi)部晶體管飽和狀態(tài)下的集電極與發(fā)射極之間的電壓。CMOS滿擺幅比較器的輸出電壓取決于飽和狀態(tài)下的MOSFET。與雙極型晶體管結(jié)構(gòu)相比，在輕載情況下電壓更接近電源電壓。
輸出延遲時(shí)間A777
輸出延遲時(shí)間是選擇比較器的關(guān)鍵參數(shù)，延遲時(shí)間包括信號(hào)通過元器件產(chǎn)生的傳輸延時(shí)和信號(hào)的上升時(shí)間與下降時(shí)間。對(duì)于高速比較器，如MAX961、MAX9010～MAX9013，其延遲時(shí)間的典型值分別達(dá)到4. Sns和Sns，上升時(shí)間為2.3ns和3ns（注意：傳輸延時(shí)的測(cè)量包含了上升時(shí)間）。設(shè)計(jì)時(shí)需注意不同因素對(duì)延遲時(shí)間的影響，其中包括溫度、容性負(fù)載、輸入過驅(qū)動(dòng)等因素。對(duì)于反相輸入，傳輸延時(shí)用TPD-表示；對(duì)于同相輸入，傳輸延時(shí)用TPD+表示。tPD+與TPD-之差稱為偏差。電源電壓對(duì)傳輸延時(shí)也有較大影響。
輸入電壓
隨著低電壓應(yīng)用的普及，為進(jìn)一步優(yōu)化比較器的工作電壓范圍，一些公司（如MAXIM公司）利用NPN管與PNP管相并聯(lián)的結(jié)構(gòu)作為比較器的輸入級(jí)，從而使比較器的輸入電壓得以擴(kuò)展，可以比電源電壓高出250mV，達(dá)到了所謂的超電源擺幅標(biāo)準(zhǔn)，這種比較器的輸入端允許有較大的共模電壓。
比較器輸出
由于比較器僅有兩個(gè)不同的輸出狀態(tài)，零電平或電源電壓，具有滿電源擺幅特性的比較器輸出級(jí)為射極跟隨器，達(dá)使得其輸出信號(hào)與電源擺幅之間僅有極小的壓差。該壓差取決于比較器內(nèi)部晶體管飽和狀態(tài)下的集電極與發(fā)射極之間的電壓。CMOS滿擺幅比較器的輸出電壓取決于飽和狀態(tài)下的MOSFET。與雙極型晶體管結(jié)構(gòu)相比，在輕載情況下電壓更接近電源電壓。
輸出延遲時(shí)間A777
輸出延遲時(shí)間是選擇比較器的關(guān)鍵參數(shù)，延遲時(shí)間包括信號(hào)通過元器件產(chǎn)生的傳輸延時(shí)和信號(hào)的上升時(shí)間與下降時(shí)間。對(duì)于高速比較器，如MAX961、MAX9010～MAX9013，其延遲時(shí)間的典型值分別達(dá)到4. Sns和Sns，上升時(shí)間為2.3ns和3ns（注意：傳輸延時(shí)的測(cè)量包含了上升時(shí)間）。設(shè)計(jì)時(shí)需注意不同因素對(duì)延遲時(shí)間的影響，其中包括溫度、容性負(fù)載、輸入過驅(qū)動(dòng)等因素。對(duì)于反相輸入，傳輸延時(shí)用TPD-表示；對(duì)于同相輸入，傳輸延時(shí)用TPD+表示。tPD+與TPD-之差稱為偏差。電源電壓對(duì)傳輸延時(shí)也有較大影響。
上一篇：速度與功耗
相關(guān)技術(shù)資料- 3-4輸入阻抗
- 相關(guān)IC型號(hào)
- A777
- 暫無最新型號(hào)
熱門點(diǎn)擊
- 單門限電壓比較器
- 正弦波振蕩器的組成及分類
- TDA2030實(shí)用電路
- 集成運(yùn)算放大器應(yīng)用舉例
- STM32的PCB設(shè)計(jì)建議
- 示波器屏幕波形顯示
- 放大器干擾、噪聲抑制和自激振蕩的消除
- LM386應(yīng)用電路
- 熱敏電阻測(cè)量電路
- 集成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
推薦技術(shù)資料
- 單片機(jī)版光立方的制作
- N視頻: http://v.youku.comN_sh... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
