圖4.2(b)是對(duì)晶體管的基極一發(fā)射FM16W08-SG極間電壓V BE用二極管的正向壓降VF進(jìn)行抵消、進(jìn)而來(lái)消除開(kāi)關(guān)失真的電路。
    晶體管V BE的值具有溫度越高就越小的負(fù)溫度系數(shù)（-2.5mV廠℃）。因此，由這樣的電路取出大量負(fù)載電流時(shí)，Tr，與Tr。的溫度就升高（由集電極損耗引起的發(fā)熱），VBE的值就變小。

                
    然而，即使Tri和Tr2的溫度變高，二極管Di和D2上流動(dòng)的電流變化也不大，所以，其正向壓降VF也幾乎是一定值。就是說(shuō)，VF≈VBE的關(guān)系被破壞，而成為VF>VBE。
    這樣一來(lái)，在Tri和Tr2中，與VF和VBE之差相對(duì)應(yīng)的基極電流流動(dòng)，為基極電流^ FE倍的集電極電流作為空載電流而流動(dòng)，并且，這個(gè)集電極電流不是在負(fù)載上流動(dòng)，而是通過(guò)Tri與Tr2在電源一電源(GND)之間流動(dòng)。
    這樣，進(jìn)一步增加了集電極電流。由此，晶體管的溫度變得更高，VF和VBE的電壓差變大，集電極電流變得更大。
    這種情況反復(fù)地進(jìn)行著，最后，流過(guò)非常大的集電極電流，導(dǎo)致Tri和Tr2發(fā)生熱損壞。這就是晶體管的熱擊穿原理。
    如圖4.2(b)所示的電路，當(dāng)大電流流過(guò)時(shí)，有熱擊穿的擔(dān)心，但在負(fù)載電流小的情況下，這又是很常用的電路。