如前所述，F(xiàn)M調(diào)制電路利用變?nèi)荻?A title=M4A5-256/128-10YC-12YI href=" http://www.hqwq.cn/M4A_S/M4A5-256/128-10YC-12YI.html">M4A5-256/128-10YC-12YI極管來(lái)控制變形考畢茲型振蕩電路的振蕩頻率。振蕩電路的晶體管Tri采用fT=550MHz的高頻放大用晶體管2SC2668（東芝）（也可以使用fT在400M～500MHz以上的其他型號(hào)的晶體管）。
    表15.1列出2SC2668（東芝）的參數(shù)。Tri的基極電位用R3和R4固走在1.5V，發(fā)射極電流用Rs設(shè)定為0.4mA(≈(l.5V-O. 6V)/2.2k0)。
    改變頻率用的變?nèi)荻䴓O管Di采用1SV101(東芝)。表15.2列出1SV101的參數(shù)。
    圖15.7是1SV101電容量與反向電壓的關(guān)系曲線，圖15.8是它的Q值（性能參數(shù)，Q值愈高，電容器的損耗愈�。┡c反向電壓的關(guān)系曲線。
    如圖15.7所示，1SV101在2～14V反向電壓范圍內(nèi)電容值的變化范圍大約在40～8pF之間。從圖15.8可以看出，當(dāng)電壓升高到一定程度時(shí)Q值下降。因此，通常變?nèi)荻䴓O管的偏壓采用直流電壓。這樣變?nèi)荻䴓O管的電容量在加偏壓的值為中心的范圍內(nèi)變化。由于這個(gè)電路是利用永久極化電介質(zhì)電容器話筒輸出的直流電位(約2. 8V)作為變?nèi)荻䴓O管的偏壓，所以話筒的輸出介入R2與Di連接。根據(jù)圖15.7的曲線，Di是以30pF為中心變化。電阻R2的作用是為了減小變?nèi)荻䴓O管的陰極（也是振蕩器共振電路的一部分）與話筒輸出端之間的電容耦合，這里取R2—10kQ。
    圖15.9是變?nèi)荻䴓O管部分的等效電路。通過(guò)R2與話筒的輸出分離，等效為Di的電容CD1與Cl串聯(lián)，連接到振蕩器的共振電路。