從圖1-11的反向特性曲線可以看出，當(dāng)反向GRM155R71H271KA01D電壓小于擊穿電壓U(liR)(U：BR，)時，電路中僅有很小的微安級反向飽和電流IR，二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài)，呈現(xiàn)很大的電阻，且此時的反向飽和電流幾乎不隨反向電壓的增大而變化，僅與二極管的材料和溫度有關(guān)。當(dāng)所加的反向電壓進一步增大后，二極管的反向電流急劇增大．進入反向擊穿區(qū)。普通二極管進入反向擊穿區(qū)后，就會損壞，其性能是不可逆的。所以在正常使用時，要避免二極管工作到此區(qū)域。
    造成二極管反向擊穿的原因有兩個：一個是齊納擊穿，另一個是雪崩擊穿。當(dāng)二極管工作在反向擊穿區(qū)時，這兩種擊穿幾乎是同時存在的，只不過對于不同的二極管，起主要作用的擊穿是不同的而已。

               
    硅管和鍺管特性的比較
    比較圖1-11中硅管和鍺管的伏安特性曲線，在正向特性曲線中，鍺管的死區(qū)電壓和導(dǎo)通壓降比硅管小一些，更容易克服死區(qū)進入導(dǎo)通狀態(tài)，從對兩管的導(dǎo)通壓降的比較來看，鍺管的性能比硅管的性能好，鍺管退出飽和導(dǎo)通的速度快，因此鍺管在檢波、高頻等電路中有應(yīng)用。在反向特性曲線中，鍺管的反向飽和電流比硅管大很多（小功率硅管的反向電流一般小于0.1PA，鍺管通常為幾十微安）。反向電流越小，二極管的單向?qū)щ娦栽胶�；同時，反向電流受溫度的影響很大。所以硅管的單向?qū)щ娦浴岱�(wěn)定性均比鍺管好，因此在應(yīng)用中多選用硅管。