近年來，電子技術(shù)的發(fā)展，使得電路GRM1885C1H150JA01D的工作電壓越來越低，電流越來越大，低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗，但也給電源設(shè)計提出了新的難題，
    開關(guān)電源的損耗主要有3部分：功率開關(guān)管的損耗、高頻變壓的損耗、輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極管的導(dǎo)通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出�？焖倩謴�(fù)二極管或超快速恢復(fù)二極管導(dǎo)通壓降可達1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管，也會產(chǎn)生不可忽略的壓降，這就導(dǎo)致整流損耗增大，電源效率降低。
    例如，目前電腦CPU普遍采用3.3V乃至1.8V或1.5V的供電電壓，所消耗的電流可達20A，此時超快速恢復(fù)二極管整流損耗已接近甚至超過電源輸出功率的50%。即使采用肖特基二極管，整流管上的損耗也會達到電源輸出功率的18%～40%，占電源總損耗的60%以上。因此，傳統(tǒng)二極管整流電路已無法滿足實現(xiàn)低電壓、大電流開關(guān)電源的高效率及小體積的需要，成為制約DC／DC變換器提高效率的瓶頸。
    同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET來取代整流二極管以降低整流損耗的一項新技術(shù)。它能大大提高DC／DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。功率MOSFET屬于電壓控制型器件，它在導(dǎo)通時的伏安特性呈線性關(guān)系。用功率MOSFET做整流器時，要求柵極電壓必須與被整流電壓的楣位保持同步才能完成整流功能，故稱之為同步整流。

    在設(shè)計低電壓、大電流輸出的DC／DC變換器時，采用同步整流技術(shù)能顯著提高電源效率。對同步整流技術(shù)感興趣的同學(xué)可以按照關(guān)鍵詞到網(wǎng)上去查找更多的內(nèi)容。