如圖2.33(b)所示，MOS型FET是在P型半導(dǎo)俸中RS2K(FR156)形成兩個(gè)N型半導(dǎo)體，將表面氧化形成絕緣良好的氧化絕緣膜，再在其上安裝金屬作為柵極而構(gòu)成的。因此，此FET在結(jié)構(gòu)上依次形成金屬(metal)、氧化物(oxide)、半導(dǎo)體(semiconductor)，取其首字母稱為MOS型。

            
    由此，如圖2.33(b)所示，在漏極和源極之間加電壓時(shí)，由于反向電壓加在PN結(jié)上而形成耗盡層。這時(shí)在柵極和P型襯底之間加正電壓時(shí)，由于柵極的正電壓，在下側(cè)靠近柵極的耗盡層內(nèi)，因靜電感應(yīng)而生成電子。它成為載流子，并形成了電流的通路。這時(shí)電子構(gòu)成溝道，所以稱為N型溝道。襯底使用N型半導(dǎo)體時(shí)，空穴構(gòu)成溝道，所以稱為P型溝道。而且，MOS型FET有兩種類型：一種是柵極上即使不加電壓，漏極和源極之間也有電流流動(dòng)的耗盡型；另一種是如果柵極上不加電壓，漏極和源極之間就沒(méi)有電流流動(dòng)的增強(qiáng)型。表2.18中示出各種FET的名稱和圖形符號(hào)。