從某種意義上FLI8125-LF 說，片式元器件所承受的溫度比通孔元器件所承受的溫度還要高，因為通孔元器件本體不會直接浸在錫鍋中，而片式元器件在波峰焊過程中直接浸在錫鍋中。片式元器件多數(shù)在結(jié)構(gòu)上采取多層式結(jié)構(gòu)，如多層片式電容(MLCC)、電感、磁珠等。在多層式結(jié)構(gòu)中，層與層之間的熱膨脹系數(shù)( CTE)不同，以MLCC為例，它在受到高溫沖擊時，由于層與層之間的CTE差異，會出現(xiàn)開裂等缺陷。
    此外，MLCC與PCB的CTE也存在著差異，更會加劇熱沖擊的發(fā)生。通常MLCC的CTE為6×l0-6/oC，PCB的為16×10-6/℃，則ACTE為10×10-6/℃，其溫度從室溫25℃上升到焊接溫度255 0C，則ACTE=2200×10-6/℃。若考慮到PCB在焊接溫度下，焊接溫度已遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PCB的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，PCB的CTE數(shù)值還要增大。因此，CTE的不同會在焊接部位產(chǎn)
生很大的應(yīng)力，如圖5. 31和圖5.32所示。
    熱應(yīng)力的存在會造成多層陶瓷介質(zhì)內(nèi)部產(chǎn)生分離或微裂紋，使基層斷路。同樣的道理，對于其他片式元器件如SOIC，由于是塑料封裝，引腳通常是52號合金，兩者之間的TCE也存在著較大的差異，因此塑料封裝本體與金屬的配合息存在差異。在波峰焊過程中，微觀上講會存在微裂紋，再加上助焊劑的滲透，常會產(chǎn)生腐蝕問題，因此對SMC/SMD的抗熱性，其重視程度應(yīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于通孔元器件，并且通常需要有特別的規(guī)定，現(xiàn)以1PC-SM-782(Interim Final Oct，1986)為例進(jìn)行介紹。