片式元器件的保管
發(fā)布時(shí)間:2012/10/6 21:34:14 訪問(wèn)次數(shù):740
(1)耐熱性
經(jīng)過(guò)波峰FLI8125-LF-BC焊或再流焊的零件，能通過(guò)在(260±5)℃的錫鍋中停留lOs的高溫試驗(yàn)才算符合要求。1EC-68-58或1PC-SM-780規(guī)范如下：
●焊錫溫度：(260±5)℃；
●浸錫時(shí)間：(30±5)s；
．浸錫和脫離速度：(25±2.5) mm/s;
．浸錫深度：待檢測(cè)元器件表面完全浸入。
(2)抗浸析
片式元器件如電阻、電容等，當(dāng)端電極是Ag或Ag合金等貴金屬時(shí)，在適當(dāng)?shù)娜坼a溫度250℃，浸入lOs不能有浸析現(xiàn)象�，F(xiàn)以1PC-SM-782為例，規(guī)定此類(lèi)零件之貴金屬端面上應(yīng)有厚度大于0.00125mm的鎳或其他類(lèi)似金屬之阻隔層，以防止焊接過(guò)程中的浸析。
在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，元器件的可焊性一直是非常重要的事情，人們常為元器件可焊性差帶來(lái)的各種質(zhì)量缺陷而感到煩惱。特別在SMT生產(chǎn)中，元器件的價(jià)格一般都較高，尤其是QFP之類(lèi)的器件，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于DIP器件，通常人們不愿經(jīng)常用來(lái)做可焊性試驗(yàn)，因此更應(yīng)做好元器件的存儲(chǔ)工作。幸運(yùn)的是，片式元器件通�？偸敲芊庠诰帋е�，lC器件則用真空包裝。通常在良好存儲(chǔ)環(huán)境下（溫度小于30 0C，相對(duì)濕度低于65%），完整的包裝可以保存1年（自制造日期起），對(duì)于已拆封的IC來(lái)說(shuō)，應(yīng)及時(shí)用完，對(duì)于已經(jīng)拆封卻沒(méi)有用完的IC，則應(yīng)存放在密封、干燥的專(zhuān)用柜中。
總之，對(duì)元器件的可焊性應(yīng)有足夠的認(rèn)識(shí)，過(guò)高的溫度、過(guò)長(zhǎng)的時(shí)間、潮濕的環(huán)境均會(huì)造成元器件引腳的可焊性變差。
經(jīng)過(guò)波峰FLI8125-LF-BC焊或再流焊的零件，能通過(guò)在(260±5)℃的錫鍋中停留lOs的高溫試驗(yàn)才算符合要求。1EC-68-58或1PC-SM-780規(guī)范如下：
●焊錫溫度：(260±5)℃；
●浸錫時(shí)間：(30±5)s；
．浸錫和脫離速度：(25±2.5) mm/s;
．浸錫深度：待檢測(cè)元器件表面完全浸入。
(2)抗浸析
片式元器件如電阻、電容等，當(dāng)端電極是Ag或Ag合金等貴金屬時(shí)，在適當(dāng)?shù)娜坼a溫度250℃，浸入lOs不能有浸析現(xiàn)象�，F(xiàn)以1PC-SM-782為例，規(guī)定此類(lèi)零件之貴金屬端面上應(yīng)有厚度大于0.00125mm的鎳或其他類(lèi)似金屬之阻隔層，以防止焊接過(guò)程中的浸析。
在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，元器件的可焊性一直是非常重要的事情，人們常為元器件可焊性差帶來(lái)的各種質(zhì)量缺陷而感到煩惱。特別在SMT生產(chǎn)中，元器件的價(jià)格一般都較高，尤其是QFP之類(lèi)的器件，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于DIP器件，通常人們不愿經(jīng)常用來(lái)做可焊性試驗(yàn)，因此更應(yīng)做好元器件的存儲(chǔ)工作。幸運(yùn)的是，片式元器件通�？偸敲芊庠诰帋е�，lC器件則用真空包裝。通常在良好存儲(chǔ)環(huán)境下（溫度小于30 0C，相對(duì)濕度低于65%），完整的包裝可以保存1年（自制造日期起），對(duì)于已拆封的IC來(lái)說(shuō)，應(yīng)及時(shí)用完，對(duì)于已經(jīng)拆封卻沒(méi)有用完的IC，則應(yīng)存放在密封、干燥的專(zhuān)用柜中。
總之，對(duì)元器件的可焊性應(yīng)有足夠的認(rèn)識(shí)，過(guò)高的溫度、過(guò)長(zhǎng)的時(shí)間、潮濕的環(huán)境均會(huì)造成元器件引腳的可焊性變差。
(1)耐熱性
經(jīng)過(guò)波峰FLI8125-LF-BC焊或再流焊的零件，能通過(guò)在(260±5)℃的錫鍋中停留lOs的高溫試驗(yàn)才算符合要求。1EC-68-58或1PC-SM-780規(guī)范如下：
●焊錫溫度：(260±5)℃；
●浸錫時(shí)間：(30±5)s；
．浸錫和脫離速度：(25±2.5) mm/s;
．浸錫深度：待檢測(cè)元器件表面完全浸入。
(2)抗浸析
片式元器件如電阻、電容等，當(dāng)端電極是Ag或Ag合金等貴金屬時(shí)，在適當(dāng)?shù)娜坼a溫度250℃，浸入lOs不能有浸析現(xiàn)象�，F(xiàn)以1PC-SM-782為例，規(guī)定此類(lèi)零件之貴金屬端面上應(yīng)有厚度大于0.00125mm的鎳或其他類(lèi)似金屬之阻隔層，以防止焊接過(guò)程中的浸析。
在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，元器件的可焊性一直是非常重要的事情，人們常為元器件可焊性差帶來(lái)的各種質(zhì)量缺陷而感到煩惱。特別在SMT生產(chǎn)中，元器件的價(jià)格一般都較高，尤其是QFP之類(lèi)的器件，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于DIP器件，通常人們不愿經(jīng)常用來(lái)做可焊性試驗(yàn)，因此更應(yīng)做好元器件的存儲(chǔ)工作。幸運(yùn)的是，片式元器件通�？偸敲芊庠诰帋е�，lC器件則用真空包裝。通常在良好存儲(chǔ)環(huán)境下（溫度小于30 0C，相對(duì)濕度低于65%），完整的包裝可以保存1年（自制造日期起），對(duì)于已拆封的IC來(lái)說(shuō)，應(yīng)及時(shí)用完，對(duì)于已經(jīng)拆封卻沒(méi)有用完的IC，則應(yīng)存放在密封、干燥的專(zhuān)用柜中。
總之，對(duì)元器件的可焊性應(yīng)有足夠的認(rèn)識(shí)，過(guò)高的溫度、過(guò)長(zhǎng)的時(shí)間、潮濕的環(huán)境均會(huì)造成元器件引腳的可焊性變差。
經(jīng)過(guò)波峰FLI8125-LF-BC焊或再流焊的零件，能通過(guò)在(260±5)℃的錫鍋中停留lOs的高溫試驗(yàn)才算符合要求。1EC-68-58或1PC-SM-780規(guī)范如下：
●焊錫溫度：(260±5)℃；
●浸錫時(shí)間：(30±5)s；
．浸錫和脫離速度：(25±2.5) mm/s;
．浸錫深度：待檢測(cè)元器件表面完全浸入。
(2)抗浸析
片式元器件如電阻、電容等，當(dāng)端電極是Ag或Ag合金等貴金屬時(shí)，在適當(dāng)?shù)娜坼a溫度250℃，浸入lOs不能有浸析現(xiàn)象�，F(xiàn)以1PC-SM-782為例，規(guī)定此類(lèi)零件之貴金屬端面上應(yīng)有厚度大于0.00125mm的鎳或其他類(lèi)似金屬之阻隔層，以防止焊接過(guò)程中的浸析。
在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，元器件的可焊性一直是非常重要的事情，人們常為元器件可焊性差帶來(lái)的各種質(zhì)量缺陷而感到煩惱。特別在SMT生產(chǎn)中，元器件的價(jià)格一般都較高，尤其是QFP之類(lèi)的器件，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于DIP器件，通常人們不愿經(jīng)常用來(lái)做可焊性試驗(yàn)，因此更應(yīng)做好元器件的存儲(chǔ)工作。幸運(yùn)的是，片式元器件通�？偸敲芊庠诰帋е�，lC器件則用真空包裝。通常在良好存儲(chǔ)環(huán)境下（溫度小于30 0C，相對(duì)濕度低于65%），完整的包裝可以保存1年（自制造日期起），對(duì)于已拆封的IC來(lái)說(shuō)，應(yīng)及時(shí)用完，對(duì)于已經(jīng)拆封卻沒(méi)有用完的IC，則應(yīng)存放在密封、干燥的專(zhuān)用柜中。
總之，對(duì)元器件的可焊性應(yīng)有足夠的認(rèn)識(shí)，過(guò)高的溫度、過(guò)長(zhǎng)的時(shí)間、潮濕的環(huán)境均會(huì)造成元器件引腳的可焊性變差。
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