低壓差穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓AP5056器比較.低壓差穩(wěn)壓器與開關(guān)穩(wěn)壓器相比，主要有以下優(yōu)點(diǎn)。
    (1)穩(wěn)壓性能好。
    (2)外圍電路簡(jiǎn)單，使用方便。
    (3)成本低廉。
    (4)低噪聲（可達(dá)幾十微伏，無開關(guān)噪聲），低紋波（電源抑制比可達(dá)60～70dB），這對(duì)于無線電和通信設(shè)備至關(guān)重要。
    (5)低靜態(tài)電流（超低壓差穩(wěn)壓器的靜態(tài)電流可低至幾微安至幾十微安），低功耗，當(dāng)輸入電壓與輸出電壓接近時(shí)可達(dá)到裉高的效率。
    (6)具有快速響應(yīng)能力，能對(duì)負(fù)載或輸入電壓的變化做出快速反應(yīng)。例如常見的輸出正電壓的78××系列和輸出負(fù)電壓的79××系列集成電路穩(wěn)壓器。

    標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器比其他類型穩(wěn)壓器具有較大的壓差、較大的功耗和較低的效率。
    (1)準(zhǔn)低壓差穩(wěn)壓器。準(zhǔn)低壓差穩(wěn)壓器通常使用達(dá)林頓復(fù)合管結(jié)構(gòu)，以便實(shí)現(xiàn)由一只NPN三極管和一只PNP三極管組成的調(diào)整管。這種復(fù)合管的壓降通常大約為1V，比低壓差穩(wěn)壓器高但是比標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)壓器低。
    (2)低壓差穩(wěn)壓器。低壓差穩(wěn)壓器通常壓差在100～200mV范圍。
    (3)超低壓差(ULDO)穩(wěn)壓器。ULDO穩(wěn)壓器為超低壓差穩(wěn)壓器，比低壓差穩(wěn)壓器有更低的壓差。
    超低壓差穩(wěn)壓器.低壓差穩(wěn)壓器電路架構(gòu)簡(jiǎn)單，外部組件很少且簡(jiǎn)單。一般的低壓差穩(wěn)壓器架構(gòu)為：一個(gè)誤差放大器驅(qū)動(dòng)一個(gè)P型MOSFET，利用反饋電位與參考電位做比較，使輸出電壓保持穩(wěn)定。
    當(dāng)系統(tǒng)中需求的是超低壓差、低輸出電壓(0.8～1.8V)、高輸出電流時(shí)，用傳統(tǒng)單電源、P-MOSFET的架構(gòu)來設(shè)計(jì)低壓差穩(wěn)壓器就變得相當(dāng)困難。因此出現(xiàn)了超低壓差穩(wěn)壓器，它采用N-MOSFET來當(dāng)驅(qū)動(dòng)器，以相同大小的驅(qū)動(dòng)器來說，N-MOSFET的驅(qū)動(dòng)特性一般未說是優(yōu)于P-MOSFET的。但是，在低輸入電壓時(shí)，N-MOSFET的驅(qū)動(dòng)特性又顯不足，且可能不適合整個(gè)集成電路的工作電壓。為此，采用了另一組電源輸入來提供集成電路穩(wěn)定的工作電壓，并且大大提升N-MOSFET的驅(qū)動(dòng)能力。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)低電壓輸入轉(zhuǎn)換低電壓輸出，并且能夠具有大的輸出電流。