全波整流電路
發(fā)布時間:2012/11/26 19:42:12 訪問次數(shù):2223
經(jīng)過微分電路之后,信號已變ECJ2VC1H0R1D成正、負(fù)尖項(xiàng)脈沖,通過全波整流電路,將負(fù)尖項(xiàng)脈沖轉(zhuǎn)換到正半周來,這樣通過全波整流電路之后,輸入信號的頻率被提高一倍。
整形電路
經(jīng)過全波整流之后的正尖頂脈沖信號加到整形電路中,整形電路可采用單穩(wěn)態(tài)電路,整形的目的是將尖頂脈沖轉(zhuǎn)換成等寬、等高的矩形脈沖。
圖5-130所示是集.基耦合單穩(wěn)態(tài)電路,這種電路也是由兩只三極管構(gòu)成。電路中的“為輸入觸發(fā)信號,是負(fù)尖頂脈沖信號。
(1)穩(wěn)態(tài)分析。電阻R2將-V加到VT1的基極,使VT1的基極電壓為負(fù),這樣VT1處于截止?fàn)顟B(tài)。直流工作電壓+V經(jīng)R4給VT2基極足夠的電流,使VT2處于飽和狀態(tài),這是電路的穩(wěn)態(tài),即VT1截止、VT2飽和,此時輸出電壓砜為低電平。只要電路中沒有有效的觸發(fā)信號,電路就一直保持這種穩(wěn)態(tài)。
圖5-131所示是這一電路中有關(guān)電壓的波形。其中圖5-131(a)所示為輸入觸發(fā)信號電壓U的波形;圖5-131(b)所示是經(jīng)C2和R4微分電路之后的輸出電壓波形:圖5-131(c)所示是VT2集電極電壓波形,即電路的輸出信號電壓波形。
(2)毫路第一次翻轉(zhuǎn)分析。當(dāng)輸入觸發(fā)信號出現(xiàn)時(為負(fù)尖頂脈沖),VT2的基極電壓下降,電路中出現(xiàn)了正反饋過程,即輸入負(fù)脈沖使VT2基極電壓下降,其集電極電壓上升,通過R5加到VT1基極,使VT1基極電壓上升,其集電極電壓下降,通過Cl加到VT2的基極(電容兩端電壓不能突變),使VT2的基極電壓進(jìn)一步下降。很快通過這一正反饋,VT2處于截止?fàn)顟B(tài),VT1處于飽和狀態(tài)。由于VT2截止,所以此時輸出電壓為高電平,如圖5-131(c)所示,這是電路的暫穩(wěn)態(tài)。
(3)暫穩(wěn)態(tài)分析。在電路進(jìn)入暫穩(wěn)態(tài)之后,由于VT1飽和,構(gòu)成了對電容Cl的充電回路,充電流回路為+V一R3一Cl一VT1集電極一VT1發(fā)射極一地端。圖5-132所示是電容Cl充電電流回路示意圖。
這一充電過程在Cl上充到右正左負(fù)的電壓,充電電壓使VI2的基極電壓升高,存在使VT2導(dǎo)通的趨勢。對電容Cl充電的時間長短,就決定了電路暫穩(wěn)態(tài)的時間長短。
經(jīng)過微分電路之后,信號已變ECJ2VC1H0R1D成正、負(fù)尖項(xiàng)脈沖,通過全波整流電路,將負(fù)尖項(xiàng)脈沖轉(zhuǎn)換到正半周來,這樣通過全波整流電路之后,輸入信號的頻率被提高一倍。
整形電路
經(jīng)過全波整流之后的正尖頂脈沖信號加到整形電路中,整形電路可采用單穩(wěn)態(tài)電路,整形的目的是將尖頂脈沖轉(zhuǎn)換成等寬、等高的矩形脈沖。
圖5-130所示是集.基耦合單穩(wěn)態(tài)電路,這種電路也是由兩只三極管構(gòu)成。電路中的“為輸入觸發(fā)信號,是負(fù)尖頂脈沖信號。
(1)穩(wěn)態(tài)分析。電阻R2將-V加到VT1的基極,使VT1的基極電壓為負(fù),這樣VT1處于截止?fàn)顟B(tài)。直流工作電壓+V經(jīng)R4給VT2基極足夠的電流,使VT2處于飽和狀態(tài),這是電路的穩(wěn)態(tài),即VT1截止、VT2飽和,此時輸出電壓砜為低電平。只要電路中沒有有效的觸發(fā)信號,電路就一直保持這種穩(wěn)態(tài)。
圖5-131所示是這一電路中有關(guān)電壓的波形。其中圖5-131(a)所示為輸入觸發(fā)信號電壓U的波形;圖5-131(b)所示是經(jīng)C2和R4微分電路之后的輸出電壓波形:圖5-131(c)所示是VT2集電極電壓波形,即電路的輸出信號電壓波形。
(2)毫路第一次翻轉(zhuǎn)分析。當(dāng)輸入觸發(fā)信號出現(xiàn)時(為負(fù)尖頂脈沖),VT2的基極電壓下降,電路中出現(xiàn)了正反饋過程,即輸入負(fù)脈沖使VT2基極電壓下降,其集電極電壓上升,通過R5加到VT1基極,使VT1基極電壓上升,其集電極電壓下降,通過Cl加到VT2的基極(電容兩端電壓不能突變),使VT2的基極電壓進(jìn)一步下降。很快通過這一正反饋,VT2處于截止?fàn)顟B(tài),VT1處于飽和狀態(tài)。由于VT2截止,所以此時輸出電壓為高電平,如圖5-131(c)所示,這是電路的暫穩(wěn)態(tài)。
(3)暫穩(wěn)態(tài)分析。在電路進(jìn)入暫穩(wěn)態(tài)之后,由于VT1飽和,構(gòu)成了對電容Cl的充電回路,充電流回路為+V一R3一Cl一VT1集電極一VT1發(fā)射極一地端。圖5-132所示是電容Cl充電電流回路示意圖。
這一充電過程在Cl上充到右正左負(fù)的電壓,充電電壓使VI2的基極電壓升高,存在使VT2導(dǎo)通的趨勢。對電容Cl充電的時間長短,就決定了電路暫穩(wěn)態(tài)的時間長短。
上一篇:微分電路及充電曲線
上一篇:第二次翻轉(zhuǎn)分析
熱門點(diǎn)擊
推薦技術(shù)資料
- 業(yè)余條件下PCM2702
- PGM2702采用SSOP28封裝,引腳小而密,EP3... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究