通電后電路分析
發(fā)布時間:2012/12/1 20:31:02 訪問次數(shù):736
通電源之后,直流電壓+V通過W25X80AVAIZ電阻Rl和R2對電容Cl充電,由于對電容Cl的充電要有一個過程,在Cl兩端的電壓沒有充到一定程度時,電路保持輸出電壓配為高電平狀態(tài),如圖6-124( b)所示波形,這是一個暫穩(wěn)態(tài)。
隨著對電容Cl的充電進(jìn)行(Cl上的充電壓極性為上正下負(fù)),當(dāng)Cl上的電壓達(dá)到一定程度后,集成電路Al的⑥腳電壓為高電平,該高電平加到內(nèi)部電路中的電壓比較器C的反相輸入端,使比較器C輸出低電平,該低電平加到與非門A的一個輸入端,使RS觸發(fā)器翻轉(zhuǎn),即Q端輸出低電平,即饑為低電平,Q為高電平。從圖6-124(b)所示波形中可以看出,此時乩已從高電平翻轉(zhuǎn)成低電平。
在Q為高電平后,該高電平經(jīng)電阻R6加到VT1基極,使VT1飽和導(dǎo)通。由于VT1導(dǎo)通后集電極與發(fā)射極之間內(nèi)阻很小,這樣電容Cl上充到的上正下負(fù)電壓開始放電,其放電回路是:C1上端一R2一集成電路A1的⑦腳一VT1集電極一VT1發(fā)射極一地端一Cl下端,如圖6-125所示。在Cl放電期間,多諧振蕩器電路保持阢為高電平這一暫穩(wěn)態(tài),如圖6-124(b)所示波形中低電平段。
隨著電容Cl的放電,Cl上的電壓在下降,當(dāng)Cl上的電壓下降到一定程度后,使集成電路Al的②腳電壓很低,即電壓比較器D的同相輸入端電壓較低,使電壓比較器D輸出低電平。該低電平加到與非門B的一個輸入端,使RS觸發(fā)器再次翻轉(zhuǎn),翻轉(zhuǎn)到Q端為高電平的暫穩(wěn)態(tài),即砜為高電平。由于Q為高電平,Q為低電平,使VT1基極電壓很小,VT1截止,電容Cl停止放電,改變?yōu)?V通過電阻Rl和R2對Cl充電,這樣電路進(jìn)入第二個周期。
電路分析提示
這種多諧振蕩器電路與其他多諧振蕩器電路一樣,有相同的振蕩特性。這里還要說明下列幾點(diǎn)。
(1)在集成電路Al的內(nèi)部電路中,電阻R2、R3和R4構(gòu)成分壓電路,分別為電壓比較器C和D提供基準(zhǔn)電壓。對于電壓比較器C而言,基準(zhǔn)電壓加到同相輸入端。對電壓比較器D而言,基準(zhǔn)電壓加到反相輸入端。
(2)電壓比較器的工作特性是:對電壓比較器C而言,當(dāng)反相輸入端的電壓大于同相輸入端上的基準(zhǔn)電壓時,電壓比較器C輸出低電平;對于電壓比較器D而言,當(dāng)同相輸入端的電壓大于反相輸入端上的基準(zhǔn)電壓時,電壓比較器D輸出高電平。
通電源之后,直流電壓+V通過W25X80AVAIZ電阻Rl和R2對電容Cl充電,由于對電容Cl的充電要有一個過程,在Cl兩端的電壓沒有充到一定程度時,電路保持輸出電壓配為高電平狀態(tài),如圖6-124( b)所示波形,這是一個暫穩(wěn)態(tài)。
隨著對電容Cl的充電進(jìn)行(Cl上的充電壓極性為上正下負(fù)),當(dāng)Cl上的電壓達(dá)到一定程度后,集成電路Al的⑥腳電壓為高電平,該高電平加到內(nèi)部電路中的電壓比較器C的反相輸入端,使比較器C輸出低電平,該低電平加到與非門A的一個輸入端,使RS觸發(fā)器翻轉(zhuǎn),即Q端輸出低電平,即饑為低電平,Q為高電平。從圖6-124(b)所示波形中可以看出,此時乩已從高電平翻轉(zhuǎn)成低電平。
在Q為高電平后,該高電平經(jīng)電阻R6加到VT1基極,使VT1飽和導(dǎo)通。由于VT1導(dǎo)通后集電極與發(fā)射極之間內(nèi)阻很小,這樣電容Cl上充到的上正下負(fù)電壓開始放電,其放電回路是:C1上端一R2一集成電路A1的⑦腳一VT1集電極一VT1發(fā)射極一地端一Cl下端,如圖6-125所示。在Cl放電期間,多諧振蕩器電路保持阢為高電平這一暫穩(wěn)態(tài),如圖6-124(b)所示波形中低電平段。
隨著電容Cl的放電,Cl上的電壓在下降,當(dāng)Cl上的電壓下降到一定程度后,使集成電路Al的②腳電壓很低,即電壓比較器D的同相輸入端電壓較低,使電壓比較器D輸出低電平。該低電平加到與非門B的一個輸入端,使RS觸發(fā)器再次翻轉(zhuǎn),翻轉(zhuǎn)到Q端為高電平的暫穩(wěn)態(tài),即砜為高電平。由于Q為高電平,Q為低電平,使VT1基極電壓很小,VT1截止,電容Cl停止放電,改變?yōu)?V通過電阻Rl和R2對Cl充電,這樣電路進(jìn)入第二個周期。
電路分析提示
這種多諧振蕩器電路與其他多諧振蕩器電路一樣,有相同的振蕩特性。這里還要說明下列幾點(diǎn)。
(1)在集成電路Al的內(nèi)部電路中,電阻R2、R3和R4構(gòu)成分壓電路,分別為電壓比較器C和D提供基準(zhǔn)電壓。對于電壓比較器C而言,基準(zhǔn)電壓加到同相輸入端。對電壓比較器D而言,基準(zhǔn)電壓加到反相輸入端。
(2)電壓比較器的工作特性是:對電壓比較器C而言,當(dāng)反相輸入端的電壓大于同相輸入端上的基準(zhǔn)電壓時,電壓比較器C輸出低電平;對于電壓比較器D而言,當(dāng)同相輸入端的電壓大于反相輸入端上的基準(zhǔn)電壓時,電壓比較器D輸出高電平。
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