1.場效應(yīng)管串聯(lián)衰減式BCM7400KKFEB8G音量控制器
    圖7-23所示是一種采用MOSFET(金屬-氧化物．半導(dǎo)體場效應(yīng)管)的串聯(lián)衰減式音量控制器電路。電路中，G極電壓UG由電位器控制，場效應(yīng)管內(nèi)阻受UG控制。改變場效應(yīng)管內(nèi)阻時，輸入VT1的音頻信號將隨之變化。漏極與源極之間電壓UDS大時，音量��；反之音量大。

            
    2．負(fù)反饋式場效應(yīng)管音量控制器
    圖7-24所示是另一種負(fù)反饋式場效應(yīng)管音量控制器電路。
    結(jié)型場效應(yīng)管設(shè)在負(fù)反饋電路中，場效應(yīng)管漏極與漂極之間內(nèi)阻與Rl并聯(lián)后，與R2構(gòu)成負(fù)反饋電路。場效應(yīng)管漏極與源極之間內(nèi)阻愈小，負(fù)反饋量愈小，放大器增益愈大，音量愈大；反之音量愈��；而場效應(yīng)管漏極與源極之間內(nèi)阻又受場效應(yīng)管柵極電壓控制。