反向擊穿電壓
發(fā)布時(shí)間:2013/1/18 19:53:21 訪問次數(shù):1079
(1)在圖5.13(a)中,x的電位ATMEGA32U4-MU最高,它是集電極C。y與z之間的電壓為0. 6V,可確定是硅管發(fā)射結(jié)電壓,因此,y就是基極B,z就是發(fā)射極E,它符合Vc>VB>VE(vx>vy>vz)的關(guān)系,而且也明確了此管為NPN型硅管,其正確答案如圖(c)中所示。
(2)同樣理由,可判斷圖5.13 (b)中的VT2管的集電極C為y,x與z分別為發(fā)射極E和基極B,它們符合VE>VB>VC(vx>vy>vz)的關(guān)系。由發(fā)射結(jié)電壓UBE=-0. 3V,可知VT2是PNP型鍺管。其正確答案如圖(d)所示。
例題5.2 試根據(jù)圖5. 14所示管子的對地電位,判斷管子是硅管還是鍺管?處于哪種工作狀態(tài)?
解:(1)在圖5.14 (a)中,晶體管為NPN型。由發(fā)射結(jié)電壓UBE=0.7V,知道處于正偏,且是硅管,但是VB>Vc(0.7 >0.3)V,因此集電結(jié)也處于正向偏置。所以,此NPN型硅管處于飽和狀態(tài)。
(2)在圖5.14 (b)中,晶體管為Pl\IP型。發(fā)射結(jié)電壓UBE=-0. 3V為正向偏置,所以該管為鍺管,又VB>VC,集電結(jié)為反向偏置。所以,此PNP型鍺管工作在放大狀態(tài)。
(3)在圖5.14 (c)中,發(fā)射結(jié)電壓VBF=+0.6-0=+0.6V注意,此管為PNP管)而處于反偏,集電結(jié)也是反偏(VB>VC)。因此,管子處于截止?fàn)顟B(tài)。此處無法判斷其為硅管還是鍺管。
例題5.3 某三極管的輸出特曲線如圖5.15所示。試計(jì)算(1) Qi點(diǎn)的直流電流放大系數(shù)屆;(2) Qi和Q2兩點(diǎn)間的交流電流放大系數(shù)盧。
解:(1)在Qi點(diǎn)處,B=40riA=0.04mA
(1)在圖5.13(a)中,x的電位ATMEGA32U4-MU最高,它是集電極C。y與z之間的電壓為0. 6V,可確定是硅管發(fā)射結(jié)電壓,因此,y就是基極B,z就是發(fā)射極E,它符合Vc>VB>VE(vx>vy>vz)的關(guān)系,而且也明確了此管為NPN型硅管,其正確答案如圖(c)中所示。
(2)同樣理由,可判斷圖5.13 (b)中的VT2管的集電極C為y,x與z分別為發(fā)射極E和基極B,它們符合VE>VB>VC(vx>vy>vz)的關(guān)系。由發(fā)射結(jié)電壓UBE=-0. 3V,可知VT2是PNP型鍺管。其正確答案如圖(d)所示。
例題5.2 試根據(jù)圖5. 14所示管子的對地電位,判斷管子是硅管還是鍺管?處于哪種工作狀態(tài)?
解:(1)在圖5.14 (a)中,晶體管為NPN型。由發(fā)射結(jié)電壓UBE=0.7V,知道處于正偏,且是硅管,但是VB>Vc(0.7 >0.3)V,因此集電結(jié)也處于正向偏置。所以,此NPN型硅管處于飽和狀態(tài)。
(2)在圖5.14 (b)中,晶體管為Pl\IP型。發(fā)射結(jié)電壓UBE=-0. 3V為正向偏置,所以該管為鍺管,又VB>VC,集電結(jié)為反向偏置。所以,此PNP型鍺管工作在放大狀態(tài)。
(3)在圖5.14 (c)中,發(fā)射結(jié)電壓VBF=+0.6-0=+0.6V注意,此管為PNP管)而處于反偏,集電結(jié)也是反偏(VB>VC)。因此,管子處于截止?fàn)顟B(tài)。此處無法判斷其為硅管還是鍺管。
例題5.3 某三極管的輸出特曲線如圖5.15所示。試計(jì)算(1) Qi點(diǎn)的直流電流放大系數(shù)屆;(2) Qi和Q2兩點(diǎn)間的交流電流放大系數(shù)盧。
解:(1)在Qi點(diǎn)處,B=40riA=0.04mA
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