場效應管與三極管相比，具有輸ATMEGA644A-PU入電阻高（可達l08~ 1015Q）、穩(wěn)定性較好、抗輻射能力強、功耗低、制造工藝簡單以及特別適合大規(guī)模集成等諸多優(yōu)點，特別適用于要求高靈敏度和低噪聲的電路，在電路中主要起信號放大、阻抗變換等作用，因此得到了廣泛應用。
    根據(jù)結(jié)構(gòu)和工作原理的不同，場效應管可分為結(jié)型場效應管(JFET)和絕緣柵型場效應管(MOSFET)兩大類型。
    結(jié)型場效應管
    結(jié)型場效應管的外形、結(jié)構(gòu)及符號如圖6.1所示。在一塊N型半導體兩側(cè)做出兩個高摻雜的PN區(qū)，從而形成兩個PN結(jié)。兩側(cè)P區(qū)相接后引出的電極稱為柵極(G)，在N型半導體兩端分別引出的兩個電極稱為源極(S)和漏極(D)。由于N型區(qū)結(jié)構(gòu)對稱，因此漏極和源極可以互換使用。兩個PN結(jié)中間的N型區(qū)域稱為導電溝道。具有這種結(jié)構(gòu)的結(jié)型場效應管稱為N溝道結(jié)型場效應管。
結(jié)型場效應管因有兩個PN結(jié)而得名，結(jié)型場效應管又分為N溝道和P溝道兩種。場效應管在電路原理圖中常用字母“V”、“VT”表示，在電路原理圖中的符號如圖6.1(c)、(e)所示。場效應管的圖形符號中的箭頭，是用來區(qū)分類型的。箭頭從外指向芯片，表示是N溝道型場效應管；箭頭從芯片指向外，表示是P溝道型場效應管。