下面以N溝道增強(qiáng)ATMEGA88PV-10AU型MOSFET簪為例（參看圖6.3所示），簡(jiǎn)單介紹它的工作原理。

             
   當(dāng)柵源之間的電壓UCs =0時(shí)，不論漏源極之間加什么電壓，由于存在“背對(duì)背”連接的二極管，因此這時(shí)總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏，所以漏極電流，D—0，即處于截止?fàn)顟B(tài)。當(dāng)UCs >0時(shí)，同時(shí)襯底與源極短接，則在柵極金屬板與半導(dǎo)體之間的絕緣層產(chǎn)生一個(gè)垂直電場(chǎng)，這個(gè)電場(chǎng)將吸引襯底和兩個(gè)N+區(qū)的電子越大，吸引的自由電子越多，表面層空穴數(shù)越少，當(dāng)UCs超過某一臨界值坼（稱為開啟電壓），將最終使表面從層的電子數(shù)多于空穴數(shù)，使襯底表面由原來的P型轉(zhuǎn)為N+型，且與兩個(gè)區(qū)連通，形成漏區(qū)和源區(qū)間的導(dǎo)電溝道（N溝道）。此時(shí)，如果在漏極和源極之間加正向電壓( UDS >0)，就會(huì)有電流經(jīng)溝道到達(dá)源極，形成漏極電流，D。MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，UCs越大，導(dǎo)電溝道越寬，溝道電阻越小D越大，這就是增強(qiáng)型MOSFET Ucs控制。的基本原理。