晶體的主要參數有NTGS3442T1G標稱頻率fo、負載電容C1，和激勵電平等。
    1．標稱頻率
    標稱頻率fo是指晶體的振蕩頻率，通常直接標注在晶體的外殼上，一般用帶有小數點的幾位數字來表示，單位為MHz或kHz，如圖8-72所示。標注有效數字位數較多的晶體，其標稱頻率的精度較高。

           
    2．負載電容
    負載電容CL是指晶體組成振蕩電路時所需配接的外部電容。負載電容CL是參與決定振蕩頻率的因數之一，在規(guī)定的CL下晶體的振蕩頻率即標稱頻率fo。使用晶體時必須按要求接入規(guī)定的CL，才能保證振蕩頻率符合該晶體的標稱頻率。
    3．激勵電平
    激勵電平是指晶體正常工作時所消耗的有效功率，常用的標稱值有O.lmW、0.5mW、ImW、2mW等。激勵電平的大小關系到電路工作的穩(wěn)定和可靠。激勵電平過大會使頻率穩(wěn)定度下降，甚至造成晶體損壞；激勵電平過小會使振蕩幅度變小和不穩(wěn)定，甚至不能起振。一般應將激勵電平控制在其標稱值的50%～100%。