場效應晶體管簡稱FET，是一種TMP01FS具有PN結構的半導體器件，但它與普通半導體三極管的不同之處在于它是電壓控制器件。場效應晶體管的輸入阻抗高、噪聲小、熱穩(wěn)定性好、便于集成，但是容易擊穿。場效應晶體管的結構和圖形符號
    場效應晶體管(FET:field-effect transistor)是由電場控制載流子移動的器件。FET大致可以分為結型FET和MOS型FET(圖2.33)，它們各有三個電極：源極(S：source)、漏極(D: drain)和柵極(G:gate)。

    結型FET。如圖2. 33(a)所示，結型FET是在有源極和漏極兩個電極的N型半導體中，形成有柵極的P型半導體而構成的。其中，在源極和柵極之間流過電流，把此通路稱為溝道。因此，把源極和柵極之間的電流在N型半導體中流動的情況稱為N型溝道。
    此外，還有源極和漏極之間為P型，柵極為N型的結型FET。這時，由于電流的通路為P型半導體，所以稱為P型溝道。