半導(dǎo)體集成電路是以P型硅材PVI1050NPBF料作為襯底，在其上形成晶體管、二極管、電阻器、電容器等而構(gòu)成的。圖2. 43是雙極型集成電路結(jié)構(gòu)的例子。

         
    圖2. 43雙極型集成電路結(jié)構(gòu)的例子。MOS集成電路有PMOS集成電路、NMOS集成電路和CMOS集成電路等。與雙極型集成電路相比，其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，價(jià)格便宜，而且正在進(jìn)行高密度化、高速化的開(kāi)發(fā)。NMOS集成電路N型溝道的載流
子是電子，其遷移率比P型溝道的空穴大，可以在高速下工作，使用比PMOS廣泛。
    如圖2. 44所示，CMOS集成電路是使P型溝道和N型溝道的兩個(gè)晶體管相組合的倒相電路。CMOS集成電路比NMOS集成電路面積性能比大，制造工序多，它具有超低耗電、抗噪聲能力強(qiáng)等特點(diǎn)。