RAM。像磁帶錄OPA4277UA音機(jī)那樣可以自由地存儲(chǔ)或擦掉，即可以隨機(jī)存取的存儲(chǔ)器，有動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)和靜態(tài)RAM( SRAM)�，F(xiàn)在256M位DRAM正在成為主流代替64M位，而且把集成度提高到幾吉位以上也是可能的，以適應(yīng)大容量化，但每隔一定周期必須進(jìn)行保持存儲(chǔ)操作。
    圖2. 48是DRAM的結(jié)構(gòu)和等效電路。寫入時(shí)，將FET保持導(dǎo)通狀態(tài)，這期間從位線加對(duì)應(yīng)于“1”或“0”信息的低或高的電壓，形成在電容C上積聚電荷或不積聚電荷的狀態(tài)。讀出時(shí)，再使FET導(dǎo)通，通過位線讀出在C上有電荷或沒有電荷。SRAM具有讀出寫入簡單、速度高的優(yōu)點(diǎn)，但其缺點(diǎn)是耗電大、集成度比不上DRAM。

   
    ROM。像錄音機(jī)那樣一次完成存儲(chǔ)后，存儲(chǔ)內(nèi)容一直不消失，也就是專
用于存儲(chǔ)內(nèi)容的讀出。大多數(shù)人使用將游戲程序存儲(chǔ)在ROM中的電視游戲機(jī)，只要一接通電源，馬上就可以玩游戲。
    ROM有一次寫入信息、不能擦除的和可以寫入、擦除、重寫入的。把可以重寫的ROM稱為EPROM(erasable programmable ROM)。
    EPROM由稱為MNOS結(jié)構(gòu)（圖2.49）的FET和普通的MOS型FET串聯(lián)而構(gòu)成的。在囹2.49中，當(dāng)門極加上較大的負(fù)電壓脈沖時(shí)，F(xiàn)ET的閾值電壓向負(fù)方向變化。將這個(gè)狀態(tài)作為“1”，以這個(gè)動(dòng)作作為寫入。與此相反，當(dāng)門極加上正電壓脈沖時(shí)，閾值電壓向正方向變化，約為OV。把這個(gè)狀態(tài)作為“O”，以這個(gè)動(dòng)作作為擦去。這樣一來，可以重復(fù)寫入、擦去動(dòng)作。