半導體中電子的舉動
發(fā)布時間:2013/2/5 11:02:19 訪問次數(shù):548
圖3. 29為受光照后DG413AK/883B其電阻大幅度減小的硫化鎘(CdS)元件，圖3. 30為應用了此原理的點曝光儀。另外，圖3.31顯示的是溫度上升則電阻減小的熱敏電阻，它被應用在溫度計等儀器中。這些元器件均利用了CdS和熱敏電阻受光或熱能作用后半導體內的載流子——自由電子及空穴的分布和運動會發(fā)生變化這一性質。
如前所述，半導體是僅僅只要加入少量的雜質就會對其性質產(chǎn)生
重大影響的一種具有敏感性質的材料。因此，首先必須將其提煉成連續(xù)11個9，即純度達99. 999 999 999%的高純度半導體晶體（本征半導體）。然后摻入微量的雜質，以獲取易于利用的載流子。
本征半導體中存在著相同數(shù)量的自由電子與空穴，當外加光、熱、電場等能量時，這些載流子的數(shù)量會增加，如圖3. 32所示。
如前所述，半導體是僅僅只要加入少量的雜質就會對其性質產(chǎn)生
重大影響的一種具有敏感性質的材料。因此，首先必須將其提煉成連續(xù)11個9，即純度達99. 999 999 999%的高純度半導體晶體（本征半導體）。然后摻入微量的雜質，以獲取易于利用的載流子。本征半導體中存在著相同數(shù)量的自由電子與空穴，當外加光、熱、電場等能量時，這些載流子的數(shù)量會增加，如圖3. 32所示。
圖3. 29為受光照后DG413AK/883B其電阻大幅度減小的硫化鎘(CdS)元件，圖3. 30為應用了此原理的點曝光儀。另外，圖3.31顯示的是溫度上升則電阻減小的熱敏電阻，它被應用在溫度計等儀器中。這些元器件均利用了CdS和熱敏電阻受光或熱能作用后半導體內的載流子——自由電子及空穴的分布和運動會發(fā)生變化這一性質。
如前所述，半導體是僅僅只要加入少量的雜質就會對其性質產(chǎn)生重大影響的一種具有敏感性質的材料。因此，首先必須將其提煉成連續(xù)11個9，即純度達99. 999 999 999%的高純度半導體晶體（本征半導體）。然后摻入微量的雜質，以獲取易于利用的載流子。
本征半導體中存在著相同數(shù)量的自由電子與空穴，當外加光、熱、電場等能量時，這些載流子的數(shù)量會增加，如圖3. 32所示。
如前所述，半導體是僅僅只要加入少量的雜質就會對其性質產(chǎn)生
重大影響的一種具有敏感性質的材料。因此，首先必須將其提煉成連續(xù)11個9，即純度達99. 999 999 999%的高純度半導體晶體（本征半導體）。然后摻入微量的雜質，以獲取易于利用的載流子。本征半導體中存在著相同數(shù)量的自由電子與空穴，當外加光、熱、電場等能量時，這些載流子的數(shù)量會增加，如圖3. 32所示。
相關技術資料- 2-5半導體中電子的舉動
熱門點擊
公網(wǎng)安備44030402000607
