如圖3. 79所示，溝道為N型半導(dǎo)體AD734AN的FET稱為N溝道FET，溝道為P型半導(dǎo)體的FET稱為P溝道FET。在普通的晶體管中，電流由電子與空穴搬運(yùn)，因其“具有兩種極性”所以稱之為雙極型晶體管。與此相比，F(xiàn)ET中N溝道型是由電子、P溝道型是由空穴來搬運(yùn)電流的，因此也稱之為單極晶體管。

    普通的晶體管為電流控制型元件。與此相反，F(xiàn)ET為電壓控制型元件。FET具有輸入阻抗高、噪聲小的特點(diǎn)。在圖3.76中，柵極使用的是PN結(jié)因此稱為結(jié)型FET。與此相比，在半導(dǎo)體的表面制備一層絕緣性能很好的非常薄的氧化絕緣膜( Si02)，在此之上蒸鍍金屬而構(gòu)成柵極的場效應(yīng)管稱為MOS型FET。這里所指的蒸鍍是金屬在真空中加熱、熔解后金屬蒸發(fā)，附著于半導(dǎo)體的表面從而形成薄膜。MOS為metal-oxide semiconductor的縮寫，其含義為金屬氧化物半導(dǎo)體。圖3. 80以及圖3.81列出了結(jié)型FET與MOS型FET的圖示符號。