柵極
發(fā)布時(shí)間:2013/2/6 16:14:18 訪問(wèn)次數(shù):802
可控硅整OPA2132UA流器（silicon controlled rectifier，簡(jiǎn)稱SCR，也叫做晶體閘流管）是一種4層的PNPN半導(dǎo)體。其內(nèi)部擁有3組PN結(jié)構(gòu)造。如圖3. 84所示，對(duì)于PNPN結(jié)合的半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，無(wú)論是將其左邊設(shè)為O極還是將其右邊設(shè)為0極，從任何一方看過(guò)去都有反向的PN結(jié)（截止?fàn)顟B(tài)）存在。例如，左端接④極，則PiNi、P2 Nz的兩個(gè)結(jié)為正向，但NIP2成反向。結(jié)果，不管怎么樣在此情況下電流都是不可能導(dǎo)通的。
接下來(lái)我們?cè)噷i NIP2 N2的4層半導(dǎo)體的Pl層接上電池的O極、N：層接上e極后，再將另外一組電池的0極接到P。層、@極接到N。層上。結(jié)果，如圖3.85所示，電流導(dǎo)通整個(gè)元件。這是為什么呢？
首先，我們把PiNiPz N2的4層結(jié)構(gòu)看作是由PINIP2層與NIP2 N2層復(fù)合而成的。即把它看作是由PNP型晶體管與NPN型晶體簪互相連接來(lái)處理。對(duì)于P2 N2來(lái)說(shuō)，如圖3.85所示，加載的是正向電壓，發(fā)生電子、空穴的移動(dòng)。此時(shí)，從N2區(qū)域穿過(guò)P2進(jìn)入基極區(qū)域Ni中的電子，全部流入上層Pi NIP2晶體管的基極區(qū)域Ni。進(jìn)入上層晶體管基極區(qū)域的電子促使上層發(fā)射極區(qū)域的空穴移動(dòng)，進(jìn)一步導(dǎo)致集電極區(qū)域Pl的空穴擴(kuò)散。
通過(guò)上述動(dòng)作的反復(fù)，則電流導(dǎo)通整個(gè)可控硅整流器。結(jié)果，對(duì)
于PNPN層的兩端來(lái)說(shuō)，原來(lái)無(wú)論加載什么方向的電壓都不能導(dǎo)通的半導(dǎo)體，通過(guò)對(duì)其中間的PN層賦予正向電壓，可以導(dǎo)通整個(gè)元件。
可控硅的Pl層的端子稱為陽(yáng)極(A)，Nz層的端子稱為陰極(K)，P2層的端子稱為柵極(G)。換言之，可控硅是通過(guò)對(duì)柵極一陰極之間加載正向電壓，就可以導(dǎo)通陽(yáng)極一陰極的具有開(kāi)關(guān)作用的元件。
接下來(lái)我們?cè)噷i NIP2 N2的4層半導(dǎo)體的Pl層接上電池的O極、N：層接上e極后，再將另外一組電池的0極接到P。層、@極接到N。層上。結(jié)果，如圖3.85所示，電流導(dǎo)通整個(gè)元件。這是為什么呢？
首先，我們把PiNiPz N2的4層結(jié)構(gòu)看作是由PINIP2層與NIP2 N2層復(fù)合而成的。即把它看作是由PNP型晶體管與NPN型晶體簪互相連接來(lái)處理。對(duì)于P2 N2來(lái)說(shuō)，如圖3.85所示，加載的是正向電壓，發(fā)生電子、空穴的移動(dòng)。此時(shí)，從N2區(qū)域穿過(guò)P2進(jìn)入基極區(qū)域Ni中的電子，全部流入上層Pi NIP2晶體管的基極區(qū)域Ni。進(jìn)入上層晶體管基極區(qū)域的電子促使上層發(fā)射極區(qū)域的空穴移動(dòng)，進(jìn)一步導(dǎo)致集電極區(qū)域Pl的空穴擴(kuò)散。
通過(guò)上述動(dòng)作的反復(fù)，則電流導(dǎo)通整個(gè)可控硅整流器。結(jié)果，對(duì)
于PNPN層的兩端來(lái)說(shuō)，原來(lái)無(wú)論加載什么方向的電壓都不能導(dǎo)通的半導(dǎo)體，通過(guò)對(duì)其中間的PN層賦予正向電壓，可以導(dǎo)通整個(gè)元件。可控硅的Pl層的端子稱為陽(yáng)極(A)，Nz層的端子稱為陰極(K)，P2層的端子稱為柵極(G)。換言之，可控硅是通過(guò)對(duì)柵極一陰極之間加載正向電壓，就可以導(dǎo)通陽(yáng)極一陰極的具有開(kāi)關(guān)作用的元件。
可控硅整OPA2132UA流器（silicon controlled rectifier，簡(jiǎn)稱SCR，也叫做晶體閘流管）是一種4層的PNPN半導(dǎo)體。其內(nèi)部擁有3組PN結(jié)構(gòu)造。如圖3. 84所示，對(duì)于PNPN結(jié)合的半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，無(wú)論是將其左邊設(shè)為O極還是將其右邊設(shè)為0極，從任何一方看過(guò)去都有反向的PN結(jié)（截止?fàn)顟B(tài)）存在。例如，左端接④極，則PiNi、P2 Nz的兩個(gè)結(jié)為正向，但NIP2成反向。結(jié)果，不管怎么樣在此情況下電流都是不可能導(dǎo)通的。
接下來(lái)我們?cè)噷i NIP2 N2的4層半導(dǎo)體的Pl層接上電池的O極、N：層接上e極后，再將另外一組電池的0極接到P。層、@極接到N。層上。結(jié)果，如圖3.85所示，電流導(dǎo)通整個(gè)元件。這是為什么呢？
首先，我們把PiNiPz N2的4層結(jié)構(gòu)看作是由PINIP2層與NIP2 N2層復(fù)合而成的。即把它看作是由PNP型晶體管與NPN型晶體簪互相連接來(lái)處理。對(duì)于P2 N2來(lái)說(shuō)，如圖3.85所示，加載的是正向電壓，發(fā)生電子、空穴的移動(dòng)。此時(shí)，從N2區(qū)域穿過(guò)P2進(jìn)入基極區(qū)域Ni中的電子，全部流入上層Pi NIP2晶體管的基極區(qū)域Ni。進(jìn)入上層晶體管基極區(qū)域的電子促使上層發(fā)射極區(qū)域的空穴移動(dòng)，進(jìn)一步導(dǎo)致集電極區(qū)域Pl的空穴擴(kuò)散。
通過(guò)上述動(dòng)作的反復(fù)，則電流導(dǎo)通整個(gè)可控硅整流器。結(jié)果，對(duì)于PNPN層的兩端來(lái)說(shuō)，原來(lái)無(wú)論加載什么方向的電壓都不能導(dǎo)通的半導(dǎo)體，通過(guò)對(duì)其中間的PN層賦予正向電壓，可以導(dǎo)通整個(gè)元件。
可控硅的Pl層的端子稱為陽(yáng)極(A)，Nz層的端子稱為陰極(K)，P2層的端子稱為柵極(G)。換言之，可控硅是通過(guò)對(duì)柵極一陰極之間加載正向電壓，就可以導(dǎo)通陽(yáng)極一陰極的具有開(kāi)關(guān)作用的元件。
接下來(lái)我們?cè)噷i NIP2 N2的4層半導(dǎo)體的Pl層接上電池的O極、N：層接上e極后，再將另外一組電池的0極接到P。層、@極接到N。層上。結(jié)果，如圖3.85所示，電流導(dǎo)通整個(gè)元件。這是為什么呢？
首先，我們把PiNiPz N2的4層結(jié)構(gòu)看作是由PINIP2層與NIP2 N2層復(fù)合而成的。即把它看作是由PNP型晶體管與NPN型晶體簪互相連接來(lái)處理。對(duì)于P2 N2來(lái)說(shuō)，如圖3.85所示，加載的是正向電壓，發(fā)生電子、空穴的移動(dòng)。此時(shí)，從N2區(qū)域穿過(guò)P2進(jìn)入基極區(qū)域Ni中的電子，全部流入上層Pi NIP2晶體管的基極區(qū)域Ni。進(jìn)入上層晶體管基極區(qū)域的電子促使上層發(fā)射極區(qū)域的空穴移動(dòng)，進(jìn)一步導(dǎo)致集電極區(qū)域Pl的空穴擴(kuò)散。
通過(guò)上述動(dòng)作的反復(fù)，則電流導(dǎo)通整個(gè)可控硅整流器。結(jié)果，對(duì)
于PNPN層的兩端來(lái)說(shuō)，原來(lái)無(wú)論加載什么方向的電壓都不能導(dǎo)通的半導(dǎo)體，通過(guò)對(duì)其中間的PN層賦予正向電壓，可以導(dǎo)通整個(gè)元件。可控硅的Pl層的端子稱為陽(yáng)極(A)，Nz層的端子稱為陰極(K)，P2層的端子稱為柵極(G)。換言之，可控硅是通過(guò)對(duì)柵極一陰極之間加載正向電壓，就可以導(dǎo)通陽(yáng)極一陰極的具有開(kāi)關(guān)作用的元件。
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