PN結(jié)二極管
發(fā)布時(shí)間:2013/2/22 19:53:33 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):2091
半導(dǎo)體的p型區(qū)和n型區(qū)相CAT824STDI-GT3連接的器件稱(chēng)為pn結(jié)二極管。二極管(diode)這個(gè)名稱(chēng)是從陽(yáng)極A(anode)和陰極C(cathodic)這兩個(gè)電極組合而來(lái)的。顯示的是pn結(jié)二極管的電路符號(hào)。
(a)表示硅pn結(jié)二極管兩電極之間沒(méi)有電壓時(shí)硅內(nèi)部的狀態(tài)。在交界面附近，n型區(qū)的電子和p型區(qū)的空穴相抵消，產(chǎn)生幾乎沒(méi)有載流子的區(qū)域（耗盡層）。耗盡層內(nèi)n型區(qū)產(chǎn)生正電荷(+)，p型區(qū)產(chǎn)生負(fù)電荷（一），在耗盡層內(nèi)產(chǎn)生內(nèi)部電勢(shì)。
(b)是陽(yáng)極加正電壓，陰極加負(fù)電壓時(shí)的狀態(tài)。這時(shí)內(nèi)部電勢(shì)減少，耗盡層內(nèi)n型區(qū)域進(jìn)入的電子和p型區(qū)域進(jìn)入的空穴再次結(jié)合，產(chǎn)生從陽(yáng)極流向陰極的電流。由于這個(gè)電壓是正向電壓，所以把此時(shí)的電流稱(chēng)為正向電流。
(c)是。(b)加載了逆向電壓時(shí)的狀態(tài)。此時(shí)，n型區(qū)域的電子在陽(yáng)極側(cè)、p型區(qū)域的空穴在陰極側(cè)被吸引，由于耗盡層的寬
度變大，兩終端間沒(méi)有電流流過(guò)。這個(gè)電壓稱(chēng)為逆向電壓。
從以上的敘述可以看出，在硅pn結(jié)二極管兩端施加電壓(V)和電流的特征如 所示。pn結(jié)二極管具有只對(duì)一個(gè)方向的電
壓產(chǎn)生電流的整流作用，對(duì)于逆向電壓不會(huì)產(chǎn)生電流，只會(huì)形成p型區(qū)域和n型區(qū)域電絕緣的分離作用，并且我們還可以知道肖施加逆向電壓時(shí)，位于耗盡層（絕緣物）兩側(cè)的p型區(qū)域和n型區(qū)域，儲(chǔ)存了很多電荷，起到了電容的作用。
(a)表示硅pn結(jié)二極管兩電極之間沒(méi)有電壓時(shí)硅內(nèi)部的狀態(tài)。在交界面附近，n型區(qū)的電子和p型區(qū)的空穴相抵消，產(chǎn)生幾乎沒(méi)有載流子的區(qū)域（耗盡層）。耗盡層內(nèi)n型區(qū)產(chǎn)生正電荷(+)，p型區(qū)產(chǎn)生負(fù)電荷（一），在耗盡層內(nèi)產(chǎn)生內(nèi)部電勢(shì)。
(b)是陽(yáng)極加正電壓，陰極加負(fù)電壓時(shí)的狀態(tài)。這時(shí)內(nèi)部電勢(shì)減少，耗盡層內(nèi)n型區(qū)域進(jìn)入的電子和p型區(qū)域進(jìn)入的空穴再次結(jié)合，產(chǎn)生從陽(yáng)極流向陰極的電流。由于這個(gè)電壓是正向電壓，所以把此時(shí)的電流稱(chēng)為正向電流。
(c)是。(b)加載了逆向電壓時(shí)的狀態(tài)。此時(shí)，n型區(qū)域的電子在陽(yáng)極側(cè)、p型區(qū)域的空穴在陰極側(cè)被吸引，由于耗盡層的寬
度變大，兩終端間沒(méi)有電流流過(guò)。這個(gè)電壓稱(chēng)為逆向電壓。
從以上的敘述可以看出，在硅pn結(jié)二極管兩端施加電壓(V)和電流的特征如 所示。pn結(jié)二極管具有只對(duì)一個(gè)方向的電
壓產(chǎn)生電流的整流作用，對(duì)于逆向電壓不會(huì)產(chǎn)生電流，只會(huì)形成p型區(qū)域和n型區(qū)域電絕緣的分離作用，并且我們還可以知道肖施加逆向電壓時(shí)，位于耗盡層（絕緣物）兩側(cè)的p型區(qū)域和n型區(qū)域，儲(chǔ)存了很多電荷，起到了電容的作用。
半導(dǎo)體的p型區(qū)和n型區(qū)相CAT824STDI-GT3連接的器件稱(chēng)為pn結(jié)二極管。二極管(diode)這個(gè)名稱(chēng)是從陽(yáng)極A(anode)和陰極C(cathodic)這兩個(gè)電極組合而來(lái)的。顯示的是pn結(jié)二極管的電路符號(hào)。
(a)表示硅pn結(jié)二極管兩電極之間沒(méi)有電壓時(shí)硅內(nèi)部的狀態(tài)。在交界面附近，n型區(qū)的電子和p型區(qū)的空穴相抵消，產(chǎn)生幾乎沒(méi)有載流子的區(qū)域（耗盡層）。耗盡層內(nèi)n型區(qū)產(chǎn)生正電荷(+)，p型區(qū)產(chǎn)生負(fù)電荷（一），在耗盡層內(nèi)產(chǎn)生內(nèi)部電勢(shì)。
(b)是陽(yáng)極加正電壓，陰極加負(fù)電壓時(shí)的狀態(tài)。這時(shí)內(nèi)部電勢(shì)減少，耗盡層內(nèi)n型區(qū)域進(jìn)入的電子和p型區(qū)域進(jìn)入的空穴再次結(jié)合，產(chǎn)生從陽(yáng)極流向陰極的電流。由于這個(gè)電壓是正向電壓，所以把此時(shí)的電流稱(chēng)為正向電流。
(c)是。(b)加載了逆向電壓時(shí)的狀態(tài)。此時(shí)，n型區(qū)域的電子在陽(yáng)極側(cè)、p型區(qū)域的空穴在陰極側(cè)被吸引，由于耗盡層的寬
度變大，兩終端間沒(méi)有電流流過(guò)。這個(gè)電壓稱(chēng)為逆向電壓。
從以上的敘述可以看出，在硅pn結(jié)二極管兩端施加電壓(V)和電流的特征如 所示。pn結(jié)二極管具有只對(duì)一個(gè)方向的電
壓產(chǎn)生電流的整流作用，對(duì)于逆向電壓不會(huì)產(chǎn)生電流，只會(huì)形成p型區(qū)域和n型區(qū)域電絕緣的分離作用，并且我們還可以知道肖施加逆向電壓時(shí)，位于耗盡層（絕緣物）兩側(cè)的p型區(qū)域和n型區(qū)域，儲(chǔ)存了很多電荷，起到了電容的作用。
(a)表示硅pn結(jié)二極管兩電極之間沒(méi)有電壓時(shí)硅內(nèi)部的狀態(tài)。在交界面附近，n型區(qū)的電子和p型區(qū)的空穴相抵消，產(chǎn)生幾乎沒(méi)有載流子的區(qū)域（耗盡層）。耗盡層內(nèi)n型區(qū)產(chǎn)生正電荷(+)，p型區(qū)產(chǎn)生負(fù)電荷（一），在耗盡層內(nèi)產(chǎn)生內(nèi)部電勢(shì)。
(b)是陽(yáng)極加正電壓，陰極加負(fù)電壓時(shí)的狀態(tài)。這時(shí)內(nèi)部電勢(shì)減少，耗盡層內(nèi)n型區(qū)域進(jìn)入的電子和p型區(qū)域進(jìn)入的空穴再次結(jié)合，產(chǎn)生從陽(yáng)極流向陰極的電流。由于這個(gè)電壓是正向電壓，所以把此時(shí)的電流稱(chēng)為正向電流。
(c)是。(b)加載了逆向電壓時(shí)的狀態(tài)。此時(shí)，n型區(qū)域的電子在陽(yáng)極側(cè)、p型區(qū)域的空穴在陰極側(cè)被吸引，由于耗盡層的寬
度變大，兩終端間沒(méi)有電流流過(guò)。這個(gè)電壓稱(chēng)為逆向電壓。
從以上的敘述可以看出，在硅pn結(jié)二極管兩端施加電壓(V)和電流的特征如 所示。pn結(jié)二極管具有只對(duì)一個(gè)方向的電
壓產(chǎn)生電流的整流作用，對(duì)于逆向電壓不會(huì)產(chǎn)生電流，只會(huì)形成p型區(qū)域和n型區(qū)域電絕緣的分離作用，并且我們還可以知道肖施加逆向電壓時(shí)，位于耗盡層（絕緣物）兩側(cè)的p型區(qū)域和n型區(qū)域，儲(chǔ)存了很多電荷，起到了電容的作用。
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