用PN結(jié)作為柵極的晶體管
發(fā)布時間:2013/2/22 20:05:53 訪問次數(shù):1359
JFET是場效應(yīng)晶體CLC006AJE管的一種。JFET的柵極電極是由半導(dǎo)體pn結(jié)構(gòu)成的。
JFET中，根據(jù)利用電子還是空穴作為載流子，分為p溝道型和n溝道型。但是，JFET都是抑制型，不存在增強型。也就是在柵極電極不加電壓的狀態(tài)下，源極與漏極之間也有電流流動。
是硅半導(dǎo)體的n溝道型JFET的結(jié)構(gòu)模型，(b)是電路符號。從n型硅的兩端引出源極(S)與漏極(D)，在上方和下方形成p型區(qū)域。
假如JFET源極接地，漏極加正向電壓，兩電極間就會有電子流動。此時，在柵極電極的p型區(qū)中加上負電壓，pn結(jié)交界面附近的耗盡層擴大，阻礙電子流動從而使得電流減少�；蛘哒f是源極與漏極之間流動的電流被柵極電極上加的電壓所形成的耗盡層擴展抑制，成為場效應(yīng)晶體管。
JFET中的半導(dǎo)體材料，除了硅還有使用化合物半導(dǎo)體的情況。這里所介紹的是n溝道型JFET，如果半導(dǎo)體與柵極電極的導(dǎo)電型相反，就是p溝道型JFET了。
是平面型JFET的結(jié)構(gòu)模型，電子流動的n型區(qū)很薄，使用一側(cè)的柵極電壓。JFET由于具有輸入電阻高等特點，被應(yīng)用在音頻輸入放大器等地方。
JFET中，根據(jù)利用電子還是空穴作為載流子，分為p溝道型和n溝道型。但是，JFET都是抑制型，不存在增強型。也就是在柵極電極不加電壓的狀態(tài)下，源極與漏極之間也有電流流動。
是硅半導(dǎo)體的n溝道型JFET的結(jié)構(gòu)模型，(b)是電路符號。從n型硅的兩端引出源極(S)與漏極(D)，在上方和下方形成p型區(qū)域。
假如JFET源極接地，漏極加正向電壓，兩電極間就會有電子流動。此時，在柵極電極的p型區(qū)中加上負電壓，pn結(jié)交界面附近的耗盡層擴大，阻礙電子流動從而使得電流減少�；蛘哒f是源極與漏極之間流動的電流被柵極電極上加的電壓所形成的耗盡層擴展抑制，成為場效應(yīng)晶體管。
JFET中的半導(dǎo)體材料，除了硅還有使用化合物半導(dǎo)體的情況。這里所介紹的是n溝道型JFET，如果半導(dǎo)體與柵極電極的導(dǎo)電型相反，就是p溝道型JFET了。
是平面型JFET的結(jié)構(gòu)模型，電子流動的n型區(qū)很薄，使用一側(cè)的柵極電壓。JFET由于具有輸入電阻高等特點，被應(yīng)用在音頻輸入放大器等地方。
JFET是場效應(yīng)晶體CLC006AJE管的一種。JFET的柵極電極是由半導(dǎo)體pn結(jié)構(gòu)成的。
JFET中，根據(jù)利用電子還是空穴作為載流子，分為p溝道型和n溝道型。但是，JFET都是抑制型，不存在增強型。也就是在柵極電極不加電壓的狀態(tài)下，源極與漏極之間也有電流流動。
是硅半導(dǎo)體的n溝道型JFET的結(jié)構(gòu)模型，(b)是電路符號。從n型硅的兩端引出源極(S)與漏極(D)，在上方和下方形成p型區(qū)域。
假如JFET源極接地，漏極加正向電壓，兩電極間就會有電子流動。此時，在柵極電極的p型區(qū)中加上負電壓，pn結(jié)交界面附近的耗盡層擴大，阻礙電子流動從而使得電流減少�；蛘哒f是源極與漏極之間流動的電流被柵極電極上加的電壓所形成的耗盡層擴展抑制，成為場效應(yīng)晶體管。
JFET中的半導(dǎo)體材料，除了硅還有使用化合物半導(dǎo)體的情況。這里所介紹的是n溝道型JFET，如果半導(dǎo)體與柵極電極的導(dǎo)電型相反，就是p溝道型JFET了。
是平面型JFET的結(jié)構(gòu)模型，電子流動的n型區(qū)很薄，使用一側(cè)的柵極電壓。JFET由于具有輸入電阻高等特點，被應(yīng)用在音頻輸入放大器等地方。
JFET中，根據(jù)利用電子還是空穴作為載流子，分為p溝道型和n溝道型。但是，JFET都是抑制型，不存在增強型。也就是在柵極電極不加電壓的狀態(tài)下，源極與漏極之間也有電流流動。
是硅半導(dǎo)體的n溝道型JFET的結(jié)構(gòu)模型，(b)是電路符號。從n型硅的兩端引出源極(S)與漏極(D)，在上方和下方形成p型區(qū)域。
假如JFET源極接地，漏極加正向電壓，兩電極間就會有電子流動。此時，在柵極電極的p型區(qū)中加上負電壓，pn結(jié)交界面附近的耗盡層擴大，阻礙電子流動從而使得電流減少�；蛘哒f是源極與漏極之間流動的電流被柵極電極上加的電壓所形成的耗盡層擴展抑制，成為場效應(yīng)晶體管。
JFET中的半導(dǎo)體材料，除了硅還有使用化合物半導(dǎo)體的情況。這里所介紹的是n溝道型JFET，如果半導(dǎo)體與柵極電極的導(dǎo)電型相反，就是p溝道型JFET了。
是平面型JFET的結(jié)構(gòu)模型，電子流動的n型區(qū)很薄，使用一側(cè)的柵極電壓。JFET由于具有輸入電阻高等特點，被應(yīng)用在音頻輸入放大器等地方。
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