場效應管是通過改變外加電壓產(chǎn)生的電CA3318CE場強度來控制其導電能力的半導體器件，具有體積小、重量輕、耗電少、壽命長
等優(yōu)點。場效應管還具有輸入電阻高、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強、噪聲低、制造工藝簡單、便于集成等特點。目前在大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路中廣泛應用。
    根據(jù)結構和工作原理不同，場效應管可分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵型場效應管(IGFET)。
    結型場效應管
    結型場效應管工作原理結型場效應管分為N溝道及P溝道兩種結構形式。N溝道結型場效應管是在同一塊N型半導體上制作兩個高摻雜的P區(qū)，并將這兩個P區(qū)連接在一起，引出一個電極柵極G，N極兩端各引出一個電極漏極D和源極S。結型場效應管結構、符號，如圖8-1所示。