MOSFET是利用柵源電壓的大小，來改變CAT24WC256WI半導(dǎo)體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。
    N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理，如圖8-7所示。
    >當(dāng)Ucs =0，在漏、源極之間加正向電壓UDS時(shí)，漏源極之間的電流ID =0。
    >當(dāng)Ucs>0，在絕緣層和襯底之間表面形成一層耗盡層，但負(fù)離子不能導(dǎo)電。Ucs =UT時(shí)，漏極和源極之間產(chǎn)生導(dǎo)電溝道。
在漏、源極之間加正向電壓UDS時(shí)，將會(huì)產(chǎn)生電流ID。
    >在UDS>O時(shí)，有三種情況存在，其結(jié)果如下：
    若UGS<UT，耗盡層消失，無導(dǎo)電溝道，ID為O；
    若UGS>UT，出現(xiàn)導(dǎo)電溝道，D、S之間有電流ID流過；
    若UGS逐漸增大，溝道加厚，溝道電阻減少，ID也隨之逐漸增大，即UGS控制ID的變化。
    開啟電壓UT是指增強(qiáng)型MOS管開始形成反型層的柵源電壓。
    N溝道耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管  N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)及符號(hào)，如圖8-8所示。
    當(dāng)Ucs =0時(shí)，UDS加正向電壓，產(chǎn)生漏極電流ID，此時(shí)的漏極電流稱為漏極飽和電流，用IDSS表示。
    當(dāng)Ucs>O時(shí)，將使ID進(jìn)一步增加。
    當(dāng)Ucs <0時(shí)，隨著UDS的減小漏極電流逐漸減小，直至ID =0。
    夾斷電壓，用符號(hào)U，表示。
    為了保證場(chǎng)效應(yīng)管工作在放大區(qū)，電壓Ucs、UDS的極性和UDS的大小，如表8-1所示。