晶體三極管的結構是怎樣的
    在一塊半導體芯片上制造兩個符合K4T1G164QD-ZLCC要求的PN結，就構成了一個晶體三極管。通俗地說，晶體三極管內(nèi)部為由P型半導體和N型半導體組成的三層結構，根據(jù)分層次序分為NPN型和PNP型兩大類。如圖1-19所示為PNP型晶體三極管和NPN型晶體三極管的內(nèi)部結構。
    晶體三極管的內(nèi)部結構
    由圖1-19可見，不論PNP型晶體三極管還是NPN型晶體三極管，它們都有三個不同導電區(qū)域，中間部分稱為基區(qū)，兩端部分一個稱為發(fā)射區(qū)，另一個稱為集電區(qū)。發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，因而多數(shù)載流子的濃度很高�；鶇^(qū)很薄，而且摻雜濃度很低，因而載沆子濃度很低。集電區(qū)摻雜濃度也較低，它的載流子濃度低于發(fā)射區(qū)，所以集電極和發(fā)射極不能互換。晶體三極管的這種內(nèi)部結構特點是晶體三極管能夠起放大作用的內(nèi)部條件。每個導電區(qū)上各自引出一個電極，分別稱為基極、發(fā)射極、集電極，常用字母b、e、c表示。

          
    三層結構可以形成兩個PN結，在發(fā)射區(qū)與基區(qū)交界面處形成的PN結稱為發(fā)射結，集電區(qū)與基區(qū)交界面處形成的PN結稱為集電結。這兩個結好像是兩個串聯(lián)的背靠背晶體二極管，因此，e、或b、c之間都好像是一個晶體二極管，和晶體二極管一樣，同樣具有單向?qū)щ姷男再|(zhì)。由于晶體三極管內(nèi)部結構中有兩個具有單向?qū)щ娦缘腜N結，因此可以作為開關組件使用，但同時晶體三極管還是一個放大組件。