根據(jù)半導(dǎo)體集成電路工藝分類
發(fā)布時間:2013/3/25 20:13:42 訪問次數(shù):1122
根據(jù)半導(dǎo)體集成電路工藝，可分為單極L9823型集成電路、雙極型集成電路兩大類。
單極型集成電路由MOS場效應(yīng)晶體管組成，由于場效應(yīng)晶體管只有多數(shù)載流子參加導(dǎo)電，因此稱場效應(yīng)晶體管為單極晶體管，由該單極晶體管組成的集成電路稱為單極型集成電路，或稱為MOS集成電路。其采用金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOSFET)作為組件，特點是制作工藝簡單、集成度高、功耗較低、易于制成大規(guī)模集成電路，而雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜，功耗較大。雙極型集成電路由NPN或PNP型晶體管組成，由于電路中載流子有電子和空穴兩種極性，因此稱為雙極型集成電路，或稱集成電路。其采用雙極型半導(dǎo)體器件作為組件，特點是速度快、負(fù)載能力強(qiáng)，但功耗較大、集成度較低。
單極型集成電路又分為PMOS集成電路、NMOS集成電路、CMOS集成電路。
PMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上，以P型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路（P溝道場效應(yīng)晶體管系列），參加導(dǎo)電的是空穴。
NMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上，以N型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路（N溝道場效應(yīng)晶體管系列），參加導(dǎo)電的是電子。
CMOS集成電路是由NMOS晶體管和PMOS晶體管互補(bǔ)構(gòu)成的集成電路（互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管系列），稱為互補(bǔ)型MOS集成電路，簡寫成CMOS集成電路，此類電路包括基本CMOS系列（4000系列）、高速CMOS系列（即HCMOS集成電路，由高密度互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件構(gòu)成的集成電路）、先進(jìn)CMOS系列（即AC/ACT集成電路）。
單極型集成電路由MOS場效應(yīng)晶體管組成，由于場效應(yīng)晶體管只有多數(shù)載流子參加導(dǎo)電，因此稱場效應(yīng)晶體管為單極晶體管，由該單極晶體管組成的集成電路稱為單極型集成電路，或稱為MOS集成電路。其采用金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOSFET)作為組件，特點是制作工藝簡單、集成度高、功耗較低、易于制成大規(guī)模集成電路，而雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜，功耗較大。雙極型集成電路由NPN或PNP型晶體管組成，由于電路中載流子有電子和空穴兩種極性，因此稱為雙極型集成電路，或稱集成電路。其采用雙極型半導(dǎo)體器件作為組件，特點是速度快、負(fù)載能力強(qiáng)，但功耗較大、集成度較低。
單極型集成電路又分為PMOS集成電路、NMOS集成電路、CMOS集成電路。
PMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上，以P型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路（P溝道場效應(yīng)晶體管系列），參加導(dǎo)電的是空穴。
NMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上，以N型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路（N溝道場效應(yīng)晶體管系列），參加導(dǎo)電的是電子。
CMOS集成電路是由NMOS晶體管和PMOS晶體管互補(bǔ)構(gòu)成的集成電路（互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管系列），稱為互補(bǔ)型MOS集成電路，簡寫成CMOS集成電路，此類電路包括基本CMOS系列（4000系列）、高速CMOS系列（即HCMOS集成電路，由高密度互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件構(gòu)成的集成電路）、先進(jìn)CMOS系列（即AC/ACT集成電路）。
根據(jù)半導(dǎo)體集成電路工藝，可分為單極L9823型集成電路、雙極型集成電路兩大類。
單極型集成電路由MOS場效應(yīng)晶體管組成，由于場效應(yīng)晶體管只有多數(shù)載流子參加導(dǎo)電，因此稱場效應(yīng)晶體管為單極晶體管，由該單極晶體管組成的集成電路稱為單極型集成電路，或稱為MOS集成電路。其采用金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOSFET)作為組件，特點是制作工藝簡單、集成度高、功耗較低、易于制成大規(guī)模集成電路，而雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜，功耗較大。雙極型集成電路由NPN或PNP型晶體管組成，由于電路中載流子有電子和空穴兩種極性，因此稱為雙極型集成電路，或稱集成電路。其采用雙極型半導(dǎo)體器件作為組件，特點是速度快、負(fù)載能力強(qiáng)，但功耗較大、集成度較低。
單極型集成電路又分為PMOS集成電路、NMOS集成電路、CMOS集成電路。
PMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上，以P型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路（P溝道場效應(yīng)晶體管系列），參加導(dǎo)電的是空穴。
NMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上，以N型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路（N溝道場效應(yīng)晶體管系列），參加導(dǎo)電的是電子。
CMOS集成電路是由NMOS晶體管和PMOS晶體管互補(bǔ)構(gòu)成的集成電路（互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管系列），稱為互補(bǔ)型MOS集成電路，簡寫成CMOS集成電路，此類電路包括基本CMOS系列（4000系列）、高速CMOS系列（即HCMOS集成電路，由高密度互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件構(gòu)成的集成電路）、先進(jìn)CMOS系列（即AC/ACT集成電路）。
單極型集成電路由MOS場效應(yīng)晶體管組成，由于場效應(yīng)晶體管只有多數(shù)載流子參加導(dǎo)電，因此稱場效應(yīng)晶體管為單極晶體管，由該單極晶體管組成的集成電路稱為單極型集成電路，或稱為MOS集成電路。其采用金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOSFET)作為組件，特點是制作工藝簡單、集成度高、功耗較低、易于制成大規(guī)模集成電路，而雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜，功耗較大。雙極型集成電路由NPN或PNP型晶體管組成，由于電路中載流子有電子和空穴兩種極性，因此稱為雙極型集成電路，或稱集成電路。其采用雙極型半導(dǎo)體器件作為組件，特點是速度快、負(fù)載能力強(qiáng)，但功耗較大、集成度較低。
單極型集成電路又分為PMOS集成電路、NMOS集成電路、CMOS集成電路。
PMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上，以P型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路（P溝道場效應(yīng)晶體管系列），參加導(dǎo)電的是空穴。
NMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上，以N型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路（N溝道場效應(yīng)晶體管系列），參加導(dǎo)電的是電子。
CMOS集成電路是由NMOS晶體管和PMOS晶體管互補(bǔ)構(gòu)成的集成電路（互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管系列），稱為互補(bǔ)型MOS集成電路，簡寫成CMOS集成電路，此類電路包括基本CMOS系列（4000系列）、高速CMOS系列（即HCMOS集成電路，由高密度互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件構(gòu)成的集成電路）、先進(jìn)CMOS系列（即AC/ACT集成電路）。
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