單結(jié)晶體管的引腳
發(fā)布時(shí)間:2013/4/8 19:59:59 訪問次數(shù):2694
單結(jié)晶體管共有三個(gè)引腳,分別CY2890-D04是發(fā)射極E、第一基極Bi和第二基極B2。圖1-60所示為兩種典型單結(jié)晶體管的引腳排列。
單結(jié)晶體管的參數(shù)
單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有分壓比、峰點(diǎn)電壓與電流、谷點(diǎn)電壓與電流、調(diào)制電流和耗散功率等。
①分壓比分壓比1是指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至第一基極Bi間的電壓(不包括PN結(jié)管壓降)占兩基極間電壓的比例,如圖1-61所示。r7是單結(jié)晶體管很重要的參數(shù),一般在0.3~0.9之間,是由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)所決定的常數(shù)。
圖1-61 分壓比的概念
②峰點(diǎn)電壓與電流 峰點(diǎn)電壓UP是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與第一基極Bi間的電壓,其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流,如圖1-62所示。
③谷點(diǎn)電壓與電流谷點(diǎn)電壓UV是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與第一基極B1間的電壓,其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流,如圖1-62所示。
④調(diào)制電流調(diào)制電流k是指發(fā)射極處于飽和狀態(tài)時(shí),從單結(jié)晶體管第二基極82流過的電流。
⑤耗散功率 耗散功率PB2M是指單結(jié)晶體管第二基極的最大耗散功率。這是一項(xiàng)極限參數(shù),使用中單結(jié)晶體管實(shí)際功耗應(yīng)小于PB2M并留有一定余量,以防損壞。
單結(jié)晶體管共有三個(gè)引腳,分別CY2890-D04是發(fā)射極E、第一基極Bi和第二基極B2。圖1-60所示為兩種典型單結(jié)晶體管的引腳排列。
單結(jié)晶體管的參數(shù)
單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有分壓比、峰點(diǎn)電壓與電流、谷點(diǎn)電壓與電流、調(diào)制電流和耗散功率等。
①分壓比分壓比1是指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至第一基極Bi間的電壓(不包括PN結(jié)管壓降)占兩基極間電壓的比例,如圖1-61所示。r7是單結(jié)晶體管很重要的參數(shù),一般在0.3~0.9之間,是由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)所決定的常數(shù)。
圖1-61 分壓比的概念
②峰點(diǎn)電壓與電流 峰點(diǎn)電壓UP是指單結(jié)晶體管剛開始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與第一基極Bi間的電壓,其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流,如圖1-62所示。
③谷點(diǎn)電壓與電流谷點(diǎn)電壓UV是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與第一基極B1間的電壓,其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流,如圖1-62所示。
④調(diào)制電流調(diào)制電流k是指發(fā)射極處于飽和狀態(tài)時(shí),從單結(jié)晶體管第二基極82流過的電流。
⑤耗散功率 耗散功率PB2M是指單結(jié)晶體管第二基極的最大耗散功率。這是一項(xiàng)極限參數(shù),使用中單結(jié)晶體管實(shí)際功耗應(yīng)小于PB2M并留有一定余量,以防損壞。
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