在本征半導(dǎo)體中摻入某種特定有用的雜質(zhì)，形成BR3032雜質(zhì)半導(dǎo)體，其導(dǎo)電性能在常溫狀態(tài)下就會(huì)發(fā)生質(zhì)的變化。按照摻入雜質(zhì)的木同，可以分為N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體。
    (1)N型半導(dǎo)體。
    在硅（鍺）晶體中摻入少量五價(jià)元素的雜質(zhì)，如磷或砷，原來晶格中的某些硅原予將被雜質(zhì)原子所取代，形成N型半導(dǎo)體，其結(jié)構(gòu)如圖4-3所示。由于雜質(zhì)原子最外層有五個(gè)價(jià)電子，當(dāng)它與周圍的四個(gè)硅原子組成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)時(shí)將多余一個(gè)電子。它將不受共價(jià)鍵的束縛，只受所摻入雜質(zhì)原子核的吸引，而這種束縛力很微弱，使得該電子在室溫下很容易形成自由電子。
    圖4-3 N型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)

            
    摻入雜質(zhì)形成自由電子或空穴的過程，我們稱之為雜質(zhì)電離。在N型半導(dǎo)體中，由于雜質(zhì)電離產(chǎn)生的是自由電子，所以其自由電子的濃度將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴的濃度。N型半導(dǎo)體就主要依靠自由電子導(dǎo)電，所以又稱為電子型半導(dǎo)體，其導(dǎo)電性能大于本征半導(dǎo)體。
    (2)P型半導(dǎo)體。
    在硅（鍺）晶體中摻入少量的三價(jià)元素雜質(zhì)，如硼或鎵，原來晶格中的某些硅原子將被雜質(zhì)原子所取代，形成P型半導(dǎo)體，其結(jié)構(gòu)如圖4-4所示。由于雜質(zhì)原子最外層只有三個(gè)價(jià)電子，當(dāng)它與周圍的四個(gè)硅原子組成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)時(shí)，因?yàn)槠淙鄙僖粋�(gè)價(jià)電子而形成空穴。顯然，摻入的雜質(zhì)越多，形成的空穴就越多。顯然，在P型雜質(zhì)半導(dǎo)體中，空穴的濃度將遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于自由電子的濃度。P型半導(dǎo)體就主要依靠空穴導(dǎo)電，所以又稱為空穴型半導(dǎo)體，其導(dǎo)電性能也大于本征半導(dǎo)體。
    圖4-4 P型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)
    半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能
    綜上所述，雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能明顯優(yōu)于本征半導(dǎo)體，其導(dǎo)電能力主要取決于雜質(zhì)半導(dǎo)體中多數(shù)載流子的濃度（多子濃度），而多子的濃度主要取決于摻雜雜質(zhì)的濃度（雜質(zhì)電離的程度）。由于半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能對(duì)光照、溫度、摻雜三個(gè)因素很敏感，我們稱其為半導(dǎo)體的三敏性，即光敏性、熱敏性、雜敏性。通過調(diào)整這些因素，我們可以改善半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。