內(nèi)建電場引起少CB1AF-P-12V子漂移、阻礙多子擴(kuò)散。
    由于內(nèi)建電場的方向由N區(qū)指向P區(qū)，在P區(qū)里靠近PN結(jié)附近的自由電子將被加速逆著電場向N區(qū)移動(dòng)；而在N區(qū)里靠近PN結(jié)的空穴也被加速順著電場向P區(qū)移動(dòng)，如圖4-7所示。我們稱載流子在電場作用下的定向移動(dòng)為漂移運(yùn)動(dòng)�？梢�，內(nèi)建電場的形成引起了少子的漂移運(yùn)動(dòng)；與此同時(shí)，建電場的形成將阻礙多子的繼續(xù)擴(kuò)散。

          
    擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)的動(dòng)態(tài)平衡。
    擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)首先形成空間電荷區(qū)，產(chǎn)生內(nèi)建電場，內(nèi)建電場又引起少子漂移，阻礙多子擴(kuò)散。擴(kuò)散與漂移不斷進(jìn)行，且少子漂移運(yùn)動(dòng)逐漸增強(qiáng)，多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)逐漸減弱。當(dāng)擴(kuò)散電流與漂移電流相等時(shí)，將達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，如圖4-8所示。此時(shí)，PN結(jié)的厚度不再發(fā)生變化，達(dá)到穩(wěn)定。一般PN結(jié)的厚度很薄，其厚度約為幾微米至幾十微米。