PN結(jié)的電容特性
發(fā)布時間:2013/5/19 14:53:53 訪問次數(shù):1270
PN結(jié)的電容特性
PN結(jié)的電容效應(yīng)由兩CJ1W-DRM21方面的因素決定。一是勢壘電容CB，二是擴散電容CD。
(1)勢壘電容CB。
勢壘電容是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。當外加電壓使PN結(jié)上的壓降發(fā)生變化時，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當于PN結(jié)中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電過程。
(2)擴散電容CD。
擴散電容是由多子擴散后，在PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。當PN結(jié)正偏時，由N區(qū)擴散到P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在P區(qū)內(nèi)緊靠PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線；反之，由P區(qū)擴散到N區(qū)的空穴，在N區(qū)內(nèi)也形成類似的濃度梯度分布曲線。當外加正向電壓不同．擴散電流即外電路電流的大小也就不同，所以PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同，這也相當于電容的充放電過程。
PN結(jié)的電容效應(yīng)由兩CJ1W-DRM21方面的因素決定。一是勢壘電容CB，二是擴散電容CD。
(1)勢壘電容CB。
勢壘電容是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。當外加電壓使PN結(jié)上的壓降發(fā)生變化時，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當于PN結(jié)中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電過程。
(2)擴散電容CD。
擴散電容是由多子擴散后，在PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。當PN結(jié)正偏時，由N區(qū)擴散到P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在P區(qū)內(nèi)緊靠PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線；反之，由P區(qū)擴散到N區(qū)的空穴，在N區(qū)內(nèi)也形成類似的濃度梯度分布曲線。當外加正向電壓不同．擴散電流即外電路電流的大小也就不同，所以PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同，這也相當于電容的充放電過程。
PN結(jié)的電容特性
PN結(jié)的電容效應(yīng)由兩CJ1W-DRM21方面的因素決定。一是勢壘電容CB，二是擴散電容CD。
(1)勢壘電容CB。
勢壘電容是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。當外加電壓使PN結(jié)上的壓降發(fā)生變化時，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當于PN結(jié)中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電過程。
(2)擴散電容CD。
擴散電容是由多子擴散后，在PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。當PN結(jié)正偏時，由N區(qū)擴散到P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在P區(qū)內(nèi)緊靠PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線；反之，由P區(qū)擴散到N區(qū)的空穴，在N區(qū)內(nèi)也形成類似的濃度梯度分布曲線。當外加正向電壓不同．擴散電流即外電路電流的大小也就不同，所以PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同，這也相當于電容的充放電過程。
PN結(jié)的電容效應(yīng)由兩CJ1W-DRM21方面的因素決定。一是勢壘電容CB，二是擴散電容CD。
(1)勢壘電容CB。
勢壘電容是由空間電荷區(qū)的離子薄層形成的。當外加電壓使PN結(jié)上的壓降發(fā)生變化時，離子薄層的厚度也相應(yīng)地隨之改變，這相當于PN結(jié)中存儲的電荷量也隨之變化，猶如電容的充放電過程。
(2)擴散電容CD。
擴散電容是由多子擴散后，在PN結(jié)的另一側(cè)面積累而形成的。當PN結(jié)正偏時，由N區(qū)擴散到P區(qū)的電子，與外電源提供的空穴相復(fù)合，形成正向電流。剛擴散過來的電子就堆積在P區(qū)內(nèi)緊靠PN結(jié)的附近，形成一定的多子濃度梯度分布曲線；反之，由P區(qū)擴散到N區(qū)的空穴，在N區(qū)內(nèi)也形成類似的濃度梯度分布曲線。當外加正向電壓不同．擴散電流即外電路電流的大小也就不同，所以PN結(jié)兩側(cè)堆積的多子的濃度梯度分布也不同，這也相當于電容的充放電過程。
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