以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的DK2A-48V(61102M,61228M)勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管稱為肖特基勢(shì)壘二極管( SBD，SchottkyBarrier Diode)，簡(jiǎn)稱為肖特基二極管。它是近年來(lái)問(wèn)世的低功耗、大電流、超高速的半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短，可小到幾納秒，正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而工作電流卻可達(dá)到幾千安。
    結(jié)構(gòu)和性能特點(diǎn)
    肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖4-54所示。它是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-處延層。陽(yáng)極（阻擋層）材料選用貴金屬鉬。二氧化硅用來(lái)消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較N-層要高100倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過(guò)調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，可在基片與陽(yáng)極金屬之間形成合適的肖特基勢(shì)壘。當(dāng)加上正偏壓E時(shí)，金屬A和N型基斤B分別接電源的正、負(fù)極，此時(shí)勢(shì)壘寬度bo變窄；當(dāng)加負(fù)偏壓-E時(shí)，勢(shì)壘寬度就增加，如圖4-55所示。可見(jiàn)，肖特基二極管與PN結(jié)二極管在構(gòu)造原理上有很大區(qū)別。這種二極管的缺點(diǎn)在于：當(dāng)所能承受的反向耐壓提高時(shí)，其正向壓降也會(huì)高圖4-54  肖特基二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)得不能滿足要求，因此多用于200V以下低壓、大電流場(chǎng)合；其反向漏電流較大且對(duì)溫度比較敏感，因此其反向穩(wěn)態(tài)損耗不能忽略，而且必須更嚴(yán)格地限制其工作溫度。肖特基二極管的典型伏安特性曲線如圖4-56所示。
    肖特基二極管的封裝形式有引腳式封裝和貼片式封裝兩種，這兩種封裝形式又有單二極管與雙二極管之分。單二極管有兩個(gè)電極引腳，雙二極管有三個(gè)電極引腳。雙二極管封裝形式中又分為共陰極、共陽(yáng)極及串聯(lián)式3種方式。引腳式肖特基二極的外形及內(nèi)電路如圖4-57所示。貼片式肖特基二極管的外形結(jié)構(gòu)及內(nèi)電路如圖4-58所示。